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M40Z300 ， M40Z300W
表3.真值表
输入
E
H
L
L
L
L
B
X
L
L
H
H
A
X
L
H
L
H
E1
CON
H
L
H
H
H
E2
CON
H
H
L
H
H
输出
E3
CON
H
H
H
L
H
E4
CON
H
H
H
H
L
表4. AC测量条件
输入上升和下降时间
输入脉冲电压
输入和输出时序参考。电压
≤
5ns
0至3V
1.5V
图3. AC测试负载电路
数据保持期限计算
目前市场上可以在大多数低功耗SRAM
用于与M40Z300 / W的NVRAM的控制器。
有，但是一些标准应该是
在作出最终选择哪个SRAM来使用
使用。对SRAM必须设计一种方法，其中
该芯片使能输入禁用所有其他投入
SRAM中。这使得输入到M40Z300 / W
与SRAM的是无所谓，一旦V
CC
瀑布下方
V
PFD
（分钟）。该SRAM还应保证
数据保留下来，以V
CC
= 2.0V 。该芯片恩
能够访问时间必须足以满足
系统与芯片使能传输需要
包括延迟。如果SRAM中包括一个第二
芯片使能引脚（ E2 ） ，该引脚应该连接到
V
OUT
.
如果数据保存寿命是一个关键的参数
该体系，评点数据是很重要的reten-
化电流规格为特定的
静态存储器进行评估。大多数的SRAM指定
数据保持电流在3.0V 。厂家gen-
erally指定的典型条件的房间temper-
以最坏的情况ATURE沿（一般
在升高的温度） 。系统级的重
quirements将确定选择哪一种val-
UE的使用。的数据保持电流值
SRAM可以随后被添加到我
CCDR
价值
设备
下
TEST
333
CL = 50pF的
1.73V
CL INCLUDES夹具电容
AI02393
该M40Z300 / W ，以确定总电流再
要求，可保留数据。可用BAT-
tery容量供您选择的SNAPHAT可
然后，通过该电流被划分，以确定
数据保留可用的量（见表8）。
注意事项：
小心避免无意解散
充电通过V
OUT
和E1
CON
-E4
CON
BAT-后
tery受到高度重视。
终身校准 - 的进一步更详细的审查
算结果，请参阅应用笔记AN1012 。
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