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K5A3x80YT(B)C
订购信息
初步
MCP内存
K5一个3x80 T C - T 7 55
三星
MCP内存
设备类型
双行引导块NOR
+ fCMOS SRAM
NOR闪存的密度
（银行规模） ， （组织）
32
： 32兆（ 8MB， 24MB ）
（ X8 / X16可选）
33
： 32兆（ 16兆， 16兆）
（ X8 / X16可选）
SRAM密度，组织
8Mbit的， X8 / X16可选
工作电压范围
2.7V至3.3V
座建筑
T =热门引导块
B =底部引导块，
SRAM的访问时间
55 = 55 ns的
闪存访问时间
7 = 70纳秒
8 = 80 ns的
包
T = 69 TBGA
VERSION
C =第四代
图1.功能框图
VCC
F
VSS
RESET
RD / BY
A0到A18
（共同）
A- 1 ， A19至A20
字节
F
CE
F
OE
WE
抹去
控制
节目
控制
高
电压
将军
Bank1
地址
X
DEC
Bank1
电池阵列
十二月
Bank1的数据输入/输出
LATCH &
控制
I / O
接口
＆放大器;
银行
控制
BANK2数据输入/输出
十二月
Bank2
地址
X
DEC
Bank2
电池阵列
LATCH &
控制
CLK GEN 。
预充电电路。
DQ
0
到DQ
7
DQ
8
到DQ
15
SA
UB
LB
字节
S
CS1
S
CS2
S
VCC
S
VSS
控制
逻辑
数据
控制
ROW
SELECT
SRAM
主单元阵列
（ X16 512K ，1M ×8 ）
I / O电路
列选择
底部引导块，
-3-
修订版0.0
2002年11月
