位置：首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第175页 > K5A3280YBC-T855 > K5A3280YBC-T855 PDF资料 > K5A3280YBC-T855 PDF资料1第9页
K5A3x80YT(B)C
注意事项：
初步
MCP内存
1. RA ：读地址，PA ：程序地址， RD ：读数据， PD ：程序数据
DA ：双行地址（ A19 - A20 ） ， BA ：块地址（ A12 - A20 ） ， X =别照顾。
t
2.要终止自选模式，就必须写复位命令寄存器。
3.自动选择模式中的第四周期的数据被输出的数据。
的自选模式的第3和第4周银行地址必须是相同的。
4.允许在擦除挂起模式下的非擦除块和自选模式的读取/编程操作。
5.擦除挂起命令只适用于块擦除操作。
6. DQ8 - DQ15都别护理命令序列，除了研发和PD 。
t
7. A11 - A20也别照顾，除特殊通知的情况下。
t
表6.闪存自选代码
DQ8到DQ15
描述
字节
F
= V
IH
制造商ID
器件代码K5A3280YT （上引导块）
器件代码K5A3280YB （底部引导块）
器件代码K5A3380YT （上引导块）
器件代码K5A3380YB （底部引导块）
块保护验证
X
22H
22H
22H
22H
X
字节
F
= V
IL
X
X
X
X
X
X
ECH
A0H
A2H
A1H
A3H
01H （被保护） ，
00H （无保护）
80H （工厂锁定） ，
00H （不出厂锁定）
DQ7到DQ0
Secode
块标志位（ DQ7 ）
X
X
表7.闪存操作表
手术
字
读
字节
待用
输出禁用
RESET
字
写
字节
启用块组
保护（ 3 ）
启用块组
撤消（ 3 ）
临时块
组
L
L
L
X
H
H
H
X
L
L
L
X
L
X
X
X
L / H
(4)
(4)
L
VCC
F
±
0.3V
L
X
L
L
X
H
X
H
H
X
H
X
L
L
X
X
X
H
(4)
A9
X
X
X
A6
L
H
X
A1
H
H
X
A0
L
L
X
A-1
X
X
X
高-Z
X
X
X
D
IN
D
IN
D
IN
X
H
V
ID
V
ID
V
ID
(2)
L / H
L / H
CE
F
L
OE
L
WE
H
字节
F
H
L / H
A9
X
X
X
A9
A6
X
X
X
A6
A1
X
X
X
A1
A0
X
X
X
A0
A-1
高-Z
高-Z
高-Z
D
IN
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
IN
D
OUT
高-Z
高-Z
高-Z
D
IN
H
(2)
H
L
H
WP /
加
A9
A9
A6
A6
A1
A1
A0
A0
DQ15/
A-1
DQ15
DQ8/
DQ14
D
OUT
DQ0/
DQ7
D
OUT
RESET
H
注意事项：
1. L = V
IL
（低） ，H = V
IH
（高） ，V
ID
= 8.5V 12.5V ，D
IN
=数据输入，D
OUT
=数据输出，X =无关。
2. WP / ACC和RESET球被断言在Vcc
F
±
0.3 V或Vss
±
0.3 V在待机模式。
3.地址必须由块地址（ A12 - A20 ）的。
块保护和撤消操作可以通过编程设备也可以实现。
请参阅"Block组保护和Unprotection" 。
4.如果WP / ACC
=
V
白细胞介素，
最外边的两个引导块被保护。如果WP / ACC
=
V
IH ，
最外边的两个引导块保护取决于这些
使用"Block组保护和Unprotection"描述的方法块上次受保护或不受保护的。如果WP / ACC
=
V
HH
，所有的块
将暂时不受保护。
-9-
修订版0.0
2002年11月
