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K5A3x80YT(B)C
多芯片封装存储器
初步
MCP内存
32M位（ 4Mx8 / 2Mx16 ）双行NOR快闪记忆体/ 8M （ 1Mx8 / 512Kx16 ）全CMOS SRAM
特点
电源电压： 2.7V至3.3V
组织
- 闪光： 4194304 ×8 / 2097152 ×16位
- SRAM ： 1,048,576 ×8 / 524,288 ×16位
访问时间（ @ 2.7V ）
- 闪光： 70纳秒， SRAM ： 55纳秒
功耗（典型值）
- Flash读电流：14 MA（ @ 5MHz的）
编程/擦除电流： 15毫安
待机模式/自动休眠模式： 5
A
阅读的同时写入或读出，而擦除： 25毫安
- SRAM工作电流： 22毫安
待机电流： 0.5
A
Secode （验证码）块：额外的64KB块（闪存）
块组保护/ unprotection的（闪光灯）
闪光银尺寸： 8MB / 24MB ，16MB / 16Mb的
闪存耐久性：100,000编程/擦除周期最短
SRAM数据保存： 1.5 V（分钟）
工业温度范围：-40 ° C 85°C
包装： 69球TBGA类型 - 8× 11毫米，0.8 mm间距
1.2毫米（最大）厚度
概述
该K5A3x80YT （B ）C具有单一的3.0V电源是
多芯片封装存储器结合了32兆双行
闪存和8Mbit的fCMOS SRAM 。
在32兆闪存存储器由4M ×8或2M X16位
和8Mbit的SRAM组织为1M ×8或512K X16位。该
闪存存储器体系结构的设计来划分的
存储阵列到71块，这提供了高度灵活的
擦除和编程能力。该装置能够读取
数据从一个存储体，而在其它编程或擦除
银行与银行双重组织。
闪存存储器执行中的8比特单元的编程操作
（字节）或16位（字）和擦除以块为单位。单人或
多个块可以被擦除。块擦除操作的COM
pleted的典型0.7sec 。
在8Mbit的SRAM支持低数据保持电压，用于电池
备份操作具有低数据保持电流。
该K5A3x80YT （B）中C是适用于移动的COM的存储器
通信系统中，以减少安装面积。该器件可提供
在69球TBGA型封装。
球CON组fi guration
球说明
球NAME
A
0
到A
18
描述
地址输入球（通用）
地址输入球（快闪记忆体）
数据输入/输出球（通用）
硬件复位（快闪记忆体）
写保护/加速计划
（快闪记忆体）
电源供应器（ SRAM ）
电源供应器（闪存）
接地（公共）
高字节使能（ SRAM ）
低字节使能（ SRAM ）
字节
S
控制（ SRAM ）
字节
F
控制（快闪记忆体）
地址输入（ SRAM ）
芯片使能（快闪记忆体）
芯片使能（ SRAM低有效）
芯片使能（ SRAM高活性）
写使能（普通）
输出使能（普通）
就绪/忙（闪存）
无连接
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
N.C
N.C
N.C
2
3
4
5
N.C
WP /
加
6
N.C
7
8
9
10
N.C
A-1, A
19
到A
20
DQ
0
到DQ
15
RESET
N.C
A3
A2
A1
A7
LB
WE
CS2
S
A20
A8
A11
WP / ACC
A15
N.C
A6
A5
UB
A18
A17
RESET
A19
A12
VCC
S
VCC
F
VSS
N.C
RY / BY
A9
A13
A4
A10
A14
N.C
UB
LB
字节
S
字节
F
SA
CE
F
N.C
A0
CE
F
CS1
S
V
SS
DQ1
DQ6
SA
A16
N.C
OE
DQ9
DQ3
DQ4
VCC
S
DQ13
DQ15
字节
F
/A-1
DQ12 DQ7
VSS
DQ0
DQ10的Vcc
F
DQ8
DQ2
DQ11
字节
DQ5 DQ14
CS1
S
N.C
N.C
N.C
CS2
S
WE
OE
69球TBGA ， 0.8mm间距
RY / BY
N.C
俯视图（球下）
三星电子有限公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
-2-
修订版0.0
2002年11月
