WTE

功率半导体

SD820YS - SD8100YS

8.0A DPAK表面贴装肖特基整流器

特点

!

!

!

!

!

!

!

肖特基芯片

A

C

J

保护环模施工

B

低廓包

D

高浪涌电流能力

低功耗，高效率

理想的印刷电路板

E

销1

2

3

为了在低电压，高频率

逆变器的应用

G

H

L

P

P

PAK / TO- 252AA

暗淡

民

最大

A

6.4

6.8

B

5.0

5.4

C

2.35

2.75

D

—

1.60

E

5.3

5.7

G

2.3

2.7

H

0.4

0.8

J

0.4

0.6

K

0.3

0.7

L

0.50典型

P

—

2.3

尺寸：mm

K

机械数据

!

!

!

!

!

!

案例：模压塑料

终端：每焊镀信息

MIL- STD- 750 ，方法2026

极性：负极频带

重量：0.4克数（大约）

安装位置：任意

标记：型号数量

标准包装：16毫米磁带（ EIA- 481 ）

PIN 1 -

PIN 3 -

+

案例2 PIN

!

最大额定值和电气特性

@T

A

= 25 ° C除非另有说明

单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。对于容性负载，减免电流20 ％ 。

SD

820YS

20

14

SD

830YS

30

21

SD

840YS

40

28

SD

850YS

50

35

8.0

85

0.65

0.2

20

400

60

-50至+125

-50至+150

0.75

0.85

SD

860YS

60

42

SD

SD

单位

880YS 8100YS

80

56

100

70

V

V

A

A

V

mA

pF

K / W

°C

°C

特征

反向重复峰值电压

工作峰值反向电压

阻断电压DC

RMS反向电压

平均整流输出电流

@T

L

= 85°C

符号

V

RRM

V

RWM

V

R

V

R（ RMS ）

I

O

I

FSM

V

FM

I

RM

C

j

R

θJA

T

j

T

英镑

非重复性峰值正向浪涌电流8.3ms

单半正弦波叠加在额定负荷

（ JEDEC的方法）

正向电压（注1 ）

峰值反向电流

在额定阻断电压DC

@I

F

= 8.0A

@T

A

= 25°C

@T

A

= 100°C

典型结电容（注2 ）

典型热阻结到环境

工作温度范围

存储温度范围

注意事项：1.安装在交媾板14毫米

2

（ 0.13毫米厚）铜垫。

2.测得1.0 MHz和应用的4.0V直流反接电压

SD820YS - SD8100YS

1第3

2002韩元鼎好电子