SML20W65

TO- 267封装外形。

尺寸mm （英寸）

N沟道

增强型

高压

功率MOSFET

V

DSS

200V

65A

I

D（续）

R

DS （ ON）

0.026

更快的开关

低漏

TO- 267密封包装

D

StarMOS是新一代高电压

N沟道增强型功率MOSFET 。

这种新技术的最小的JFET效应，

增加填充密度，并降低了

导通电阻。 StarMOS也实现了较快

开关门，通过优化布局的速度。

G

S

绝对最大额定值

(T

例

= 25 ° C除非另有说明）

V

DSS

I

D

I

DM

V

GS

V

GSM

P

D

T

J

, T

英镑

T

L

I

AR

E

AR

E

AS

漏 - 源极电压

连续漏电流

3

漏电流脉冲

1 3

栅 - 源电压

栅 - 源电压瞬态

总功率耗散@ T

例

= 25°C

线性降额

工作和存储结温范围

焊接温度： 0.063 “从案例10秒。

雪崩电流

1 3

（重复，不重复）

重复性雪崩能量

1

单脉冲雪崩能量

2

1 ）重复评级：脉冲宽度有限的最高结温。

2 ）起始物为

J

= 25℃时，L = 1.18mH ，R

G

= 25Ω ，峰值I

L

= 65A

3 ）最大电流限制的包。

200

65

260

±30

±40

400

3.2

-55到150

300

65

50

2500

V

A

A

V

W

W / ℃，

°C

A

mJ

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