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2兆ROM + 1兆位/兆比特/ 256千位的SRAM
ROM / RAM组合
SST30VR021 / SST30VR022 / SST30VR023
数据表
II 。 SRAM操作
（ ROMCS ＃ = V
IH
)
表6 ：v
EAD
C
YCLE
T
即时通信
P
ARAMETERS
V
DD
= 3.0V±0.3
SST30VR022-70
符号
T
RC
T
AA
T
CO
T
OE
T
LZ
T
HZ
T
OHZ
T
OH
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
芯片选择低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
10
0
25
25
15
民
70
70
70
35
25
30
30
最大
SST30VR021/023-500
民
500
500
500
250
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
T6.2 380
表7 ：W
RITE
C
YCLE
T
即时通信
P
ARAMETERS
V
DD
= 3.0V±0.3
SST30VR022-70
符号参数
T
WC
T
CW
T
AW
T
AS
T
WP
T
WR
T
WHZ
T
DW
T
DH
T
OW
写周期时间
芯片选择到结束时的写
地址有效到结束时的写
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
写入输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入到输出低Z
30
0
0
民
70
60
60
0
60
0
30
200
0
15
最大
SST30VR021/023-500
民
500
365
375
0
375
0
80
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
T7.1 380
2001硅存储技术公司
S71135-02-000 4/01
380
7
