飞利浦半导体
PMR400UN
N沟道
μTrenchMOS
超低水平FET
1
VGS （ TH）
(V)
0.8
典型值
03aj65
10-3
ID
(A)
10-4
03am43
0.6
民
0.4
10-5
0.2
民
典型值
0
-60
0
60
120
TJ （
°
C)
180
10-6
0
0.2
0.4
0.6
VGS （ V）
0.8
I
D
= 0.25毫安; V
DS
= V
GS
T
j
= 25
°C;
V
DS
= 5 V
图9，栅极 - 源极阈值电压的一个函数
结温。
图10，子阈值漏电流的函数
栅极 - 源极电压。
102
03an98
C
（PF ）
西塞
10
科斯
CRSS
1
10-1
1
10
VDS （ V）
102
V
GS
= 0 V ; F = 1 MHz的
图11的输入，输出和反向转移电容的漏 - 源极电压的函数;典型值。
9397 750 12665
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产品数据
版本01 - 2004年3月3日
7 12
