M48Z2M1 ， M48Z2M1Y
表10.写模式AC特性
(T
A
= 0至70℃ ; V
CC
= 4.75V至5.5V或4.5V至5.5V ）
M48Z2M1 / M48Z2M1Y
符号
参数
民
t
AVAV
t
AVWL
t
AVEL
t
WLWH
t
ELEH
t
WHAX
t
EHAX
t
DVWH
t
DVEH
t
WHDX
t
EHDX
t
WLQZ （1,2）
t
AVWH
t
AVEH
t
WHQX （1,2）
写周期时间
地址有效到写使能低
地址有效到芯片使能低
写使能脉冲宽度
芯片使能低到芯片使能高
写使能高到地址转换
芯片使能高到地址转换
输入有效到写使能高
输入有效到芯片使能高
写使能高到输入转换
芯片使能高到输入转换
写使能低到输出高阻
地址有效到写使能高
地址有效到芯片使能高
写使能高到输出转换
65
65
5
70
0
0
55
55
5
15
30
30
0
10
25
-70
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
注意事项：
1. C
L
= 5pF的（参见图4） 。
2.如果E同时变为低电平用W变为低电平时，输出保持在高阻抗状态。
电源去耦和理解
SHOOT保护
I
CC
瞬变，包括生产的产量
开关，可产生电压波动， result-
荷兰国际集团在对V峰值
CC
总线。这些瞬变
如果电容器被用于存储能量被减小，
可以稳定在V
CC
总线。存储在能量
旁路电容将被释放的持续低
生成或能量将被吸收尖峰
当发生过冲。旁路电容
0.1μF的（如图8 ）的建议
为了提供所需的滤波。
除了瞬变是由正常引起的
SRAM运行，功率自行车可以产生
在V的负电压尖峰
CC
该驱动器其
低于V值
SS
通过多达一伏。这些
负尖峰可能会导致在数据损坏
SRAM而在电池备份模式。为了保护
从这些电压尖峰，这是特别建议给
连接从V肖特基二极管
CC
到V
SS
（阴极
连接到V
CC
，阳极V
SS
） 。肖特基二极管
1N5817推荐用于通孔和
MBRS120T3推荐用于表面贴装。
图8.电源电压保护
VCC
VCC
0.1F
设备
VSS
AI02169
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