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M29W800T ， M29W800B
信号说明
参见图1和表1中。
地址输入（ A0 - A18 ） 。
地址输入端
存储器阵列被写在锁存操作
化上，在芯片上的下降沿启动E或写
启用W.在Word内的组织的地址
线A0 - A18 ，在字节宽度的组织
DQ15A -1作为一个额外的LSB的地址线。
当A9提高到V
ID
，或者是读电子
签名制造商或设备代码，座
保护状态或写块保护或
块unprotection的启用取决于
组合在A0，A1， A12和A15的水平。
数据输入/输出（ DQ0 - DQ7 ） 。
牛逼电子旗下e口正
却将/ Outputsare在用字节宽度和字处理
广泛的组织。的输入是数据是
存储器阵列或命令的程序
要写入的C.I。两者都锁定在
芯片的上升沿启动E或写使能W.
的输出是从存储器阵列的数据，在
电子签名制造商或设备
代码块保护状态或状态
注册数据查询位DQ7 ，触发位DQ6
和DQ2 ，错误位DQ5或擦除定时器位
DQ3 。输出有效时，芯片使能E和
输出使能G为主动。的输出为高
或阻抗当芯片被取消了
当RP处于较低水平outputsare disabledand 。
数据输入/输出（ DQ8 - DQ14和DQ15A - 1 ） 。
这些输入/输出的附加使用
字宽organisation.When BYTEis高DQ8-
DQ14和DQ15A -1充当数据的MSB
输入或输出，用作描述DQ0-
DQ7以上，而DQ8 - DQ15是“不关心”的
命令输入或状态输出。当字节是
低， DQ0 - DQ14是高阻抗， DQ15A -1
地址A-1输入。
芯片启用（ E） 。
该芯片使能输入激活
存储器控制逻辑，输入缓冲器，解码器
和读出放大器。 高取消选择thememory
和reducesthe功耗待机
的水平。 E可也被用于控制写入到
命令寄存器和存储器阵列中，而
W仍然处于较低水平。该芯片使能必须
被迫V
ID
块unprotection的操作过程
化。
输出使能（ G） 。
输出使能的大门
在读通过数据输出缓冲器
操作。当G为高，输出为高电平
阻抗。摹必须强制V
ID
在水平
块保护和unprotection的操作。
写使能（ W） 。
该输入控件写
命令Registerand Addressand Datalatches 。
字节/字组织的选择（ BYTE ） 。
该
字节输入选择的输出配置
设备：字节宽的（x8）模式或字宽（ X16 ）
模式。当字节为低电平时，字节宽度模式
选择并且该数据被读出和编程的
DQ0 - DQ7 。在这种模式下， DQ8 - DQ14是在高
阻抗和DQ15A -1是LSB地址。
当字节为高，字宽模式是SE-
lected并且该数据被读出和编程的
DQ0-DQ15.
就绪/忙输出（ RB ） 。
就绪/忙是
开放式drainoutput并给出了该internalstate
P / E.C 。该装置。当R B为低时，器件
正忙于编程或擦除操作，并
将不接受任何额外的编程或擦除
除了擦除指令暂停指令。
当RB为高电平时，设备已准备好对任何读，
编程或擦除操作。对RB也将
高时，存储器被置于擦除挂起或
待机模式。
复位/座临时撤消输入（ RP ） 。
RP的输入提供了硬件复位和亲
tected块（ S）暂时解除保护功能。
内存复位拉的RP来达到的
V
IL
对于至少吨
PLPX
。当复位脉冲被给出，
如果内存中读取或待机模式下，它会
可用于在T新业务
PHEL
后
上升RP的边缘。如果内存中的擦除，擦除
挂起或程序模式复位会
t
PLYH
在此期间， RB信号会在V举行
IL
.
内存复位结束将由指示
RB的上升沿。在一个硬件复位
擦除或编程操作会损坏数据
被编程或所属部门被删除。
见表14和图9 。
临时块解除保护是通过举办制成
RP在V
ID
。在这种状态下先前保护
块可以被编程或擦除。的跃迁
从V RP和灰
IH
到V
ID
必须于T较慢
PHPHH
.
见表15和图9。当返回的RP
从V
ID
到V
IH
所有块暂时未受保护
将再次保护。
V
CC
电源电压。
对于所有的电源
操作（读取，编程和擦除） 。
V
SS
地面上。
V
SS
对于所有电压基准
测量。
8/33
