三菱N沟道功率MOSFET
FS10SM-14A
高速开关使用
电气特性
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
V
DS （ ON）
y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
R
TH（ CH-C ）
参数
（总胆固醇= 25 ℃）下
测试条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0V
I
GS
=
±100A,
V
DS
= 0V
V
GS
=
±25V,
V
DS
= 0V
V
DS
= 700V, V
GS
= 0V
I
D
= 1mA时， V
DS
= 10V
I
D
= 5A ，V
GS
= 10V
I
D
= 5A ，V
GS
= 10V
I
D
= 5A ，V
DS
= 10V
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
范围
分钟。
700
±30
—
—
2
—
—
4.8
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
3
1.0
5.0
8.0
1380
150
32
25
33
170
55
1.0
—
马克斯。
—
—
±10
1
4
1.3
6.5
—
—
—
—
—
—
—
—
1.5
0.83
单位
V
V
A
mA
V
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
° C / W
漏源击穿电压
栅源击穿电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流
门源阈值电压
漏源导通电阻
漏源通态电压
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源 - 漏电压
热阻
V
DD
= 200V ，我
D
= 5A ，V
GS
= 10V,
R
根
= R
GS
= 50
I
S
= 5A ，V
GS
= 0V
渠道情况
性能曲线
功耗降额曲线
200
功耗P
D
(W)
漏电流I
D
(A)
最大安全工作区
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
100ms
1ms
T
C
= 25°C
单脉冲
DC
10ms
100ms
160
TW = 10毫秒
120
80
40
10
0
7
5
3
2
0
0
50
100
150
200
10
–1 0
10 2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
漏源电压V
DS
(V)
输出特性
（典型值）
10
T
C
= 25°C
脉冲测试
V
GS
= 20V
10V
5V
P
D
= 150W
案例温度T
C
(°C)
输出特性
（典型值）
20
V
GS
= 20V
10V
T
C
= 25°C
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
16
漏电流I
D
(A)
8
12
5V
6
4.5V
8
P
D
= 150W
4
4
4V
2
4V
0
0
10
20
30
40
50
0
0
4
8
12
16
20
漏源电压V
DS
(V)
漏源电压V
DS
(V)
Feb.1999
