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28F160S3 ， 28F320S3
E
VCC A14 CE0 VPP A10 GND
A19 A17 A15 A12 A11
A20 A21 A16 A13 RP ＃
NC
CE1 A18
A9
A8
A3
A7
A6
A1
A4
A5
A2
A11 A12 A15 A17 A19
RP ＃ A13 A16 A21 A20
A18 CE1 NC
DQ7 WP ＃ WE＃
WE＃ WP ＃ DQ7
BYTE ＃ NC
NC
A0
GND VPP A10 A14 CE0 VCC
A4
A5
A2
A7
A6
A1
A9
A8
A3
NC
A0
NC BYTE ＃
DQ8 DQ1 DQ3 DQ12 DQ6 DQ15 OE ＃
OE ＃ DQ15 DQ6 DQ12 DQ3 DQ1 DQ8
DQ0 DQ9 DQ2 DQ11 DQ4 DQ13 DQ14 STS
VCC DQ10 GND VCC GND DQ5
STS DQ14 DQ13 DQ4 DQ11 DQ2 DQ9 DQ0
DQ5 GND VCC GND DQ10 VCC
底部视图
这是包的视图，表面安装
董事会。注意，该信号被镜面成像。
注意事项：
1.图不是按比例绘制的。
2.地址
21
不包括在所述28F160S3 。
三是对μBGA *包的更多信息，请联系您的英特尔/分销销售办事处。
图4中。
μBGA *
封装引脚
2.0
操作原理
字为单位的存储器包括一个片上
写状态机（ WSM ）来管理块
擦除，编程和锁定位配置
功能。其允许：100％ TTL电平控制
投入，在块擦除固定电源，
编程，锁位结构，以及最小
与RAM一样的界面处理器开销
计时。
经过最初的设备上电或回深
掉电模式（见总线的运行） ，该
10
设备默认值读取阵列模式。操作
外部存储器控制引脚允许阵列中读取，
待机状态，并输出禁止操作。
读阵列，状态寄存器，查询和识别
代码可以通过崔访问
独立的V
PP
电压。正确
在V编程电压
PP
使成功
块
擦除，
程序，
和
锁位
配置。与相关联的所有功能
改变存储器的内容块擦除，编程，
锁定位配置，通过崔访问
并通过状态寄存器验证。
超前信息
