位置：首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第202页 > TE28F320S3-100 > TE28F320S3-100 PDF资料 > TE28F320S3-100 PDF资料1第5页
E
1.0
1.1
28F160S3 ， 28F320S3
该系列产品的快速厂进行了优化
编程和低功耗设计。特别是
专为3V系统中， 28F160S3和
28F320S3支持读取操作在2.7V - 3.6V
VCC与在块擦除和编程操作
2.7V - 3.6V和5V V
PP
。高级编程
性能是通过高度优化的实现
写缓冲器。 5V的V
PP
选项可用于连
更快的工厂编程。对于一个简单的低功耗
设计，V
CC
和V
PP
可连接到2.7V 。
此外，该专用V
PP
销给了完整的
数据保护时， V
PP
≤
V
PPLK
.
内部V
PP
发现
配置设备
操作。
电路自动
优化写
介绍
该数据表包含16位和32 Mbit的字处理
广FlashFile
TM
内存（ 28F160S3和
28F320S3 ）规范。第1节提供
闪存总览。第2， 3 ，4和5
描述存储器组织和功能。
第6节涵盖了电气规格
宽温产品供应。
新功能
该字宽FlashFile内存的家人保持
与英特尔的28F016SA和基本的兼容性
28F016SV 。主要增强功能包括：
通用闪存接口（ CFI ）支持
可扩展指令集（ SCS ）支持
低电压技术
增强的挂起功能
它们共享一个兼容的状态寄存器，基本
软件指令和引脚排列。这些相似之处
实现从28F016SA或干净的迁移
28F016SV 。在升级时，需要注意的是很重要的
以下区别：
因为新的功能和密度选项，
设备具有不同的制造商和
设备识别码。这允许软件
最优化。
新的软件命令。
拿上利用低电压
28F160S3
和
28F320S3,
允许
V
PP
连接到V
CC
。该28F160S3和
28F320S3不支持12V V
PP
选项。
一个通用闪存接口（ CFI ）允许OEM-
要用于整个指定的软件算法
设备的家庭。这允许独立于设备的，
JEDEC的ID无关，和前向和
对于向后兼容的软件支持
指定的闪存设备系列。闪存厂商可以
标准化的现有接口，用于长期
兼容性。
可扩展指令集（ SCS ）允许一个单一的，
在所有的主机系统简单的软件驱动程序工作
与所有SCS兼容的闪存设备，
独立的系统级封装（例如
存储卡， SIMM ，或直接到板位置） 。
另外，
SCS
提供
该
HIGHEST
系统/设备的数据传输速率和最小化
设备和系统级的实施成本。
A命令的用户界面（ CUI）作为
系统处理器之间的接口
内部设备操作。一个有效的命令
顺序写入崔启动装置
自动化。内部写状态机（ WSM ）
自动执行的算法和时序
必需的块擦除，编程，和锁定位
配置操作。
块擦除操作会擦除设备中的一个
通常在吨64千字节块
WHQV2/EHQV2
独立于其他块。每个块可以是
独立擦除10万次。块擦除
暂停模式允许系统软件暂停
块擦除从任何其它读取或写入数据
块。
数据编程的字节，字或页面
增量。程序挂起模式使
系统读取的数据或从任何其他执行代码
快闪存储器阵列的位置。
5
1.2
产品概述
该字宽FlashFile内存系列产品提供
同为兼容的引脚密度升级
16位和32兆位密度。他们是高
性能回忆安排1 Mword和
2 Mwords的16比特或2兆字节和4兆字节的
8位。这个数据被分组在32和第六十
4个64字节块可擦除，锁定
和解锁的系统内。图1示出了块
图，图5示出存储器
组织。
超前信息
