初步数据表
的GaAs MES FET
4W / 8W C波段功率GaAs FET NEZ系列
4W / 8W C波段功率GaAs FET
N沟道的GaAs MES FET
描述
该NEZ系列的微波功率的GaAs场效应管报价
高输出功率，高增益和高效率，在C波段
微波和卫星通信。
内部输入和输出电路匹配50
是
旨在提供增益和输出功率的平整度好
在分配的频段。
以减小热阻，该设备具有一个PHS
（镀散热器）的结构。
NEC的strigent质量保证和测试程序
保证最高的可靠性和性能。
包装尺寸
（单位：毫米）
0.5±0.1
2.5MIN.
C1.5 4PLACES
来源
R1.6 2PLACES
门
2.4
12.9±0.2
3.2
6.45±0.05
漏
17.0±0.2
21.0±0.3
10.7
2.5MIN.
选择图
NEZ部件编号
NEZ3642-4D ，8D， 8DD
NEZ4450-4D ， 4DD / 8D ， 8DD
NEZ5964-4D ， 4DD / 8D ， 8DD
NEZ6472-4D ， 4DD / 8D ， 8DD
NEZ7177-4D ， 4DD / 8D ， 8DD
NEZ7785-4D ， 4DD / 8D ， 8DD
频段（千兆赫）
3.6到4.2
+0.1
0.1
–0.05
5.0MAX.
0.2MAX.
2.6±0.2
1.6
4.4 5.0
5.9至6.45
6.4到7.2
7.1到7.7
7.7至8.5
12.0
特点
内部匹配50
高功率输出
高线性增益
高可靠性
低失真
一号文件P10981EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期1996年P月
日本印刷
1996
