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AC特性
555计划
2AA擦除
PA方案
SA的扇区擦除
555芯片擦除
数据＃投票
PA
地址
t
WC
t
WH
WE＃
t
GHEL
OE ＃
t
CP
CE＃
t
WS
t
CPH
t
DS
t
DH
数据
A0方案
55擦除
PD的节目
30扇区擦除
10芯片擦除
t
AS
t
AH
t
WHWH1或2
DQ7#
D
OUT
注意事项：
1. PA指的是存储单元的地址进行编程。
2. PD为地址的PA要被编程的数据。
3. DQ7的是在设备中写入的数据的补码。
4. D
OUT
是写入到设备的数据。
5.图表示命令序列的最后2个总线周期。
图17 。
备用CE＃控制的写操作时序
擦除和编程性能
参数
扇区擦除时间
芯片擦除时间（注2 ）
字节编程时间
芯片编程时间（注2 ）
典型值（注1 ）
0.7
6
9
1.1
300
3.3
最大值（注3）
15
单位
s
s
s
s
评论
排除00H编程
擦除前（注4）
不包括系统级
开销（注5 ）
注意事项：
1.典型的编程和擦除时间假定以下条件： 25
°
C， 3.0 V V
CC
，百万个周期。另外，
编程标准结构假设棋盘图案。
为90℃ ，V 2，在最坏情况条件
CC
= 2.7 V ，百万个周期。
3.典型的芯片编程时间比列出的最大芯片编程的时间要少得多，因为大多数字节
比计划中所列的最高纲领倍的速度。
4.在嵌入式擦除算法的预编程步骤，所有字节擦除之前为00h 。
5.系统级开销是执行的两个或四个总线周期序列的程序指令所需要的时间。看
表4为在命令定义的详细信息。
6.该器件具有100万次的最小擦除和编程周期耐力。
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Am29LV010B
