FDH50N50 / FDA50N50 500V N沟道MOSFET
典型性能特性
（续）
图13.典型的开关损耗与
栅极电阻
1,000
图14.非钳位感应开关
能力
100
注意事项：
1.如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3额定BV
DSS
- V
DD
)
800
EOFF
600
I
AS
，雪崩电流[ A]
2.若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） 。在[（我
AS
X R） / （ 1.3额定BV
DSS
- V
DD
)+1]
能源[
J]
宙
400
注意事项：
1. V
DS
= 400 V
2. V
GS
= 12 V
3. I
D
= 25A
4. T
J
= 125 C
!
o
10
起始物为
J
= 150 C
o
起始物为
J
= 25 C
o
200
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
1
0.01
0.1
1
10
100
R
G
，栅极电阻[
]
t
AV
，时间在雪崩[毫秒]
图15.瞬态热阻曲线
10
-1
D=0.5
0.2
0.1
0.05
注意事项：
o
1. Z
θ
JC
（ T） = 0.2 ℃/ W（最大值） 。
2.占空比，D = T
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
Z
θ
JC
（T ） ，热响应
10
-2
0.02
0.01
单脉冲
10
-3
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，广场W AVE脉冲持续时间[秒]
5
FDH50N50 / FDA50N50版本A
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