飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
PHP10N40
概述
N沟道增强模式
在场效应功率晶体管
塑料外壳具有高
雪崩能量功能，稳定
阻断电压，开关速度快和
高的热循环性能
具有低的热阻。意
在开关电源的使用
电源（SMPS ） ，电机控制
电路和通用
开关应用。
快速参考数据
符号
V
DS
I
D
P
合计
R
DS （ ON）
参数
漏源电压
漏电流（ DC ）
总功耗
漏源导通电阻
马克斯。
400
10.7
147
0.55
单位
V
A
W
钉扎 - TO220AB
针
1
2
3
TAB
门
漏
来源
漏
描述
引脚配置
TAB
符号
d
g
1 23
s
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号参数
I
D
I
DM
P
D
P
D
/T
mb
V
GS
E
AS
I
AS
T
j
, T
英镑
连续漏电流
漏电流脉冲
总功耗
线性降额因子
栅源电压
单脉冲雪崩
能源
峰值雪崩电流
工作结
存储温度范围
条件
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V
T
mb
= 100℃ ; V
GS
= 10 V
T
mb
= 25 C
T
mb
= 25 C
T
mb
> 25 C
V
DD
≤
50 V ;起始物为
j
= 25 ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V
V
DD
≤
50 V ;起始物为
j
= 25 ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
- 55
马克斯。
10.7
6.7
43
147
1.176
±
30
520
10
150
单位
A
A
A
W
W / K
V
mJ
A
C
热阻
符号
R
日J- MB
R
日J-一
参数
热阻结到
安装底座
热阻结到
环境
条件
分钟。
-
-
典型值。
-
60
马克斯。
0.85
-
单位
K / W
K / W
1997年3月
1
启1.000
