初步数据
SPI10N10
SPP10N10,SPB10N10
9漏源导通电阻
R
DS （ ON）
=
f
(
T
j
)
10典型。栅极阈值电压
V
GS （ TH）
=
f
(
T
j)
参数：
I
D
= 7.8 A,
V
GS
= 10 V
SPP10N10
参数：
V
GS
=
V
DS
4
750
600
R
DS （ ON）
500
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
-60
-20
20
60
100
140
°C
V
GS （ TH）
550
11典型。电容
C
=
f
(
V
DS
)
参数：
V
GS
=0V,
f
= 1兆赫
10
3
pF
C
10
2
科斯
CRSS
10
0
T
j
= 25°C （典型值）
T
j
= 175℃ （典型值）
T
j
= 25 °C (98%)
T
j
= 175 °C (98%)
10
1
0
10
-1
0
I
F
V
I
D
=1mA
3
2.5
98%
典型值
2
m
I
D
=21A
1.5
-65
200
-35
-5
25
55
85
115
°C
175
T
j
T
j
12前进的性格。反向二极管
I
F
=
f
(V
SD
)
参数：
T
J，T
p
= 80 s
10
2
SPP10N10
A
西塞
10
1
5
10
15
20
25
30
V
40
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
V
3
V
DS
第6页
V
SD
2002-01-31
