FQA70N10
2000年8月
QFET
FQA70N10
100V N沟道MOSFET
概述
这些N沟道增强型功率场效应
晶体管采用飞兆半导体专有的，
平面条形， DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对
最大限度地减少通态电阻，优越的开关
性能，并能承受高能量脉冲
雪崩和减刑模式。这些装置是公
适用于低电压应用，例如音频放大器，
高效率的开关型DC / DC转换器和DC马达
控制权。
TM
特点
70A ， 100V ，R
DS （ ON）
= 0.023 @V
GS
= 10 V
低栅极电荷（典型的85 NC）
低的Crss （典型值150 pF的）
快速开关
100％的雪崩测试
改进的dv / dt能力
175°C最高结温额定值
D
!
＆ QUOT ;
G
!
g DS的
！ "
＆ QUOT ;
＆ QUOT ;
TO-3P
常见问题解答系列
!
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源电压
- 连续（T
C
= 25°C)
漏电流
- 连续（T
C
= 100°C)
漏电流
- 脉冲
（注1 ）
FQA70N10
100
70
49.5
280
±
25
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W / ℃，
°C
°C
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功率耗散（T
C
= 25°C)
1300
70
21.4
6.0
214
1.43
-55到+175
300
- 减免上述25℃
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
8分之1 ＆ QUOT ;从案例5秒
热特性
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热电阻，外壳到散热器
热阻，结到环境
典型值
--
0.24
--
最大
0.7
--
40
单位
° C / W
° C / W
° C / W
2000仙童半导体国际
版本B ， 2000年8月
