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MMBZ5V6ALT1系列
典型特征
18
击穿电压（伏）
(V
BR
@ I
T
)
15
12
9
6
3
0
40
0.1
0.01
40
I
R
（ nA的）
10
1000
100
1
0
+ 100
+ 50
温度（℃）
+ 150
+ 85
+ 25
温度（℃）
+ 125
图1.典型击穿电压
与温度的关系
（上面的曲线为每个电压为双向模式，
下面的曲线是单向的模式）
图2.典型漏电流
与温度的关系
320
280
C，电容（pF ）
240
200
160
120
15 V
80
40
0
0
1
BIAS （ V）
2
3
5.6 V
P
D
，功耗（毫瓦）
300
250
氧化铝基板
200
150
100
FR- 5局
50
0
0
25
50
75
100
125
温度（℃）
150
175
图3.典型电容与偏置电压
（上面的曲线为每个电压为单向模式，
下面的曲线是双向模式）
图4.稳态功率降额曲线
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