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三菱存储卡
初步
MF6XXXX - 02BJXX系列
闪存盘
绝对最大额定值
符号
V
DD
V
i
V
o
P
d
T
OPR
T
英镑
参数
电源电压
输入电压
输出电压
功耗
工作温度
储存温度
条件
相对于GND
T
a
= 25 °C
评级
-0.3~6.2
-0.3~V
DD
+0.3
-0.3~V
DD
+0.3
1.2
0~60
-10~80
单位
V
V
V
W
°C
°C
推荐工作条件
符号
V
DD
(5V)
GND
V
IH
V
IL
参数
V
DD
电源电压
系统接地
高输入电压
低输入电压
分钟。
4.5
0.7V
DD
0
范围
典型值。
5.0
0
马克斯。
5.5
V
DD
0.8
单位
V
V
V
V
DC电气特性
（大= 0 60 ° C，V
DD
= 5V ± 10％ ，除非另有说明）
符号
V
OH
参数
高输出电压
测试条件
I
OH
=4mA(4.5V)
INTRQ ，
INPACK ＃ ，
DASP ＃ ，
PDIAG ＃
另
输出
INTRQ ，
INPACK ＃ ，
DASP ＃ ，
PDIAG ＃
另
输出
DD15-DD0
分钟。
4.5V
范围
典型值。
马克斯。
5.5V
单位
0.8V
DD
-
V
I
OH
=8mA(4.5V)
V
OL
低输出电压
I
OL
=-4mA(4.5V)
-
0.4
V
I
OL
=-8mA(4.5V)
I
OZ
I
CCR
I
CCW
I
CCS
输出电流关闭
状态
主动电源电流
（READ ）
主动电源电流
（写）
待机电流
（自动关机）
睡眠电流
（休眠命令）
CS0 ＃ = CS1 ＃ = V
IH
输出开路
-
70
100
±10
110
140
4.0
A
mA
mA
mA
I
CCD
CS0 ＃ = CS1 ＃ = V
DD
DD15 - DD0 = GND
其它输入= V
DD
或GND
CS0 ＃ = CS1 ＃ = V
DD
DD15 - DD0 = GND
其它输入= V
DD
或GND
2.0
500
800
A
Oct.2000
。修订版0.3
三菱
电
13/18
