512MB无缓冲SODIMM （基于sTSOP ）
B3
民
12
0.45
0.45
2.2
1.75
6
75
200
7.8
THP
-tQHS
tCLmin
或tCHmin
-
-
0.55
0.4
18
（ tWR的/ TCK ）
+
（TRP / TCK ）
0.6
0.4
20
（ tWR的/ TCK ）
+
（TRP / TCK ）
THP
-tQHS
tCLmin
或tCHmin
DDR SDRAM
B0
最大
民
15
0.5
0.5
2.2
1.75
7.5
75
200
7.8
-
-
0.75
0.6
0.4
20
（ tWR的/ TCK ）
+
（TRP / TCK ）
THP
-tQHS
tCLmin
或tCHmin
7.8
-
-
0.75
0.6
参数
模式寄存器设置循环时间
DQ & DM设置时间DQS
DQ & DM保持时间DQS
控制&地址输入脉冲宽度
DQ & DM输入脉冲宽度
掉电退出时间
退出自刷新非读命令
退出自刷新，以读取命令
刷新间隔时间
输出DQS有效窗口
时钟半周期
数据保持倾斜因子
DQS写后记的时间
主动阅读与自动预充电
命令
Autoprecharge写恢复+
预充电时间
符号
超过tMRD
TDS
TDH
tIPW
tDIPW
tPDEX
tXSNR
tXSRD
tREFI
tQH
THP
TQHS
tWPST
陷阱
A2
最大
民
15
0.5
0.5
2.2
1.75
7.5
75
200
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
TCK
us
ns
ns
ns
TCK
记
7,8,9
7,8,9
4
1
5
3
tDAL
TCK
11
1.最大连拍数量刷新周期： 8
2.具体要求是， DQS有效（高或低）或本CK边缘之前。所示的情况下（ DQS从去
High_Z为逻辑低电平）适用时，没有写以前在总线上的进步。如果先前写在进步，
DQS可以在此时是高，这取决于tDQSS 。
3.最大限制这个参数不是一个设备的限制。该设备将具有巨大的价值经营此参数，
但系统的性能（总线周转）将相应降低。
4.写命令可以与T应用
RCD
该命令后满意。
5.对于已注册的DIMM ，T
CL
和T
CH
是
≥
包括两个半周期抖动的期间（t 45％的
JIT （ HP ）
）的PLL和半周期的
由于串扰（T抖动
JIT
（串扰）
）的DIMM 。
6.输入建立/保持摆率降额
输入建立时间/保持斜率
（V / ns的）
0.5
0.4
0.3
ΔtIS
（ ps的）
0
+50
+100
ΔtIH
（ ps的）
0
+50
+100
该降额表用于增加吨
IS
/t
IH
在输入的转换速率低于0.5V / ns的情况下。输入建立时间/保持的压摆率
基于交流 - 交流转换速率和DC-DC转换速率的较小者。
7. I / O设置/保持摆率降额
I / O设置/保持斜率
（V / ns的）
0.5
0.4
0.3
ΔtDS
（ ps的）
0
+75
+150
ΔtDH
（ ps的）
0
+75
+150
该降额表用于增加吨
DS
/t
DH
在所述的I / O压摆率是低于0.5V / ns的情况下。 I / O建立/保持的压摆率
基于交流 - 交流转换速率和DC-DC转换速率的较小者。
修订版1.3日。 2004年
