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1GB M-死DDR2 SDRAM
一般注意事项，可能适用于所有交流参数
DDR2 SDRAM
1.压摆率的测量级别
一。输出压摆率上升沿和下降沿的测量VTT之间 - 250毫伏和VTT + 250毫伏
单端信号。对于差分信号（如DQS - DQS ）输出压摆率之间测量
DQS - DQS = -500 mV值和DQS - DQS = + 500mV的。输出压摆率是由设计保证，而不是
不一定在每个设备上进行测试。
B 。输入转换率单端信号从DC级到AC级测量：从V
IL
（直流），以
V
IH
（交流）为上升沿和从V
IH
（直流）和V
IL
（交流）为下降沿。
对于差分信号（如CK - CK ），转换速率为上升沿从CK测量 - CK = -250 mV至
CK - CK = 500毫伏（ 250mV至-500毫伏的下降沿） 。
。 VID是输入电压的CK和CK上的输入电压，或之间的差的量值
与DQS和DQS差分频闪。
2. DDR2 SDRAM AC时序参考负载
下图表示在确定的相关时间参数使用的定时基准负载
的一部分。它不旨在是典型的系统环境中的任一个精确表示或的描绘
实际负荷由生产型测试仪介绍。系统设计人员将使用IBIS或其他仿真工具
相关的定时基准负荷的系统环境。制造商将关联到它们的生产
试验条件（一般的同轴传输线端接在测试电子元件） 。
VDDQ
DQ
的DQ
的DQ
RDQS
RDQS
DUT
产量
定时
参考
点
25
V
TT
= V
DDQ
/2
<AC时序参考Load>
对于单端信号的输出定时的基准电压电平是与VTT的交叉点。输出时序
荷兰国际集团为差分信号的参考电压电平为真（例如， DQS）的交叉点和补
（例如DQS）信号。
3. DDR2 SDRAM输出压摆率测试负载
输出压摆率，其特征在于所述测试条件下，如图中所示。
VDDQ
DUT
DQ
DQS ， DQS
RDQS ， RDQS
产量
测试点
25
V
TT
= V
DDQ
/2
<Slew率测试Load>
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Rev.1.1 2005年1月
