1GB M-死DDR2 SDRAM

IDD规格参数和测试条件

（ IDD值电压和温度的整个工作范围内，注意事项1 - 5 ）

符号

IDD0

提出条件

DDR2 SDRAM

单位

mA

笔记

经营一家银行主动预充电电流;

TCK TCK = （ IDD ）的tRC =的tRC （ IDD ） ， tRAS的= tRASmin （ IDD） ; CKE为高电平， CS \\为高电平有效的

命令;地址总线输入的切换;数据总线输入切换

经营一家银行主动阅读的预充电电流;

IOUT = 0毫安; BL = 4， CL = CL （IDD） ，AL = 0; TCK TCK = （ IDD ）的tRC =的tRC （ IDD ） ， tRAS的= tRAS-

分（ IDD ）的tRCD =的tRCD （ IDD） ; CKE为高电平， CS \\为高电平有效命令的;地址busin-

看跌期权进行切换;数据模式是相同IDD4W

预充电掉电电流;

所有银行闲置; TCK TCK = （ IDD） ; CKE低;其它的控制和地址总线输入是稳定的;

数据总线输入浮动

预充电安静的待机电流;

所有银行闲置; TCK TCK = （ IDD） ; CKE为高电平， CS \\高;其它的控制和地址总线inputsare

稳定的;数据总线输入浮动

预充电待机电流;

所有银行闲置; TCK TCK = （ IDD） ; CKE为高电平， CS \\高;其它的控制和地址总线输入是

开关;数据总线输入切换

主动掉电电流;

所有银行开放; TCK TCK = （ IDD） ; CKE低;其他的控制和

地址总线的投入是稳定的;数据总线输入浮动

快速PDN退出刘健（ 12 ） =

0mA

慢PDN退出刘健（ 12 ） =

1mA

IDD1

mA

IDD2P

mA

IDD2Q

mA

IDD2N

mA

IDD3P

mA

mA

IDD3N

当前待机电流;

所有银行开放; TCK TCK = （ IDD ） ， tRAS的= tRASmax （ IDD ） ，激进党=激进党（ IDD） ; CKE为高电平， CS \\是HIGH

有效的命令之间;其他的控制和地址总线输入切换;数据总线输入

是切换

工作突发写入电流;

所有银行开放，连续的突发写入; BL = 4， CL = CL （IDD） ，AL = 0; TCK TCK = （ IDD ） ， tRAS的=

tRASmax （ IDD ） ，激进党=激进党（ IDD） ; CKE为高电平， CS \\为高电平有效命令的;地址总线

输入的切换;数据总线输入切换

工作突发读取电流;

所有银行开放，连续的突发读取， IOUT = 0毫安; BL = 4， CL = CL （IDD） ，AL = 0; TCK =

TCK （ IDD ） ， tRAS的= tRASmax （ IDD ） ，激进党=激进党（ IDD） ; CKE为高电平， CS \\为高电平有效的COM之间

mands ;地址总线输入切换;数据模式是相同IDD4W

连拍自动刷新电流;

TCK TCK = （ IDD） ;在每一个tRFC （ IDD）的时间间隔刷新命令; CKE为高电平， CS \\是HIGH之间

有效的命令;其他的控制和地址总线输入切换;数据总线输入是

开关

自刷新电流;

CK和CK \\在0V ; CKE

≤

0.2V ;其它的控制和地址总线

输入浮动;数据总线输入浮动

正常

低功耗

mA

IDD4W

mA

IDD4R

mA

IDD5B

mA

IDD6

mA

mA

IDD7

经营银行交织读取电流;

所有银行交错读取， IOUT = 0毫安; BL = 4 ， CL = CL （ IDD ） ， AL =的tRCD （ IDD） -1 * TCK （ IDD） ; TCK =

TCK （ IDD ）的tRC =的tRC （ IDD ） ， TRRD = TRRD （ IDD ） ， tRCD的= 1 * TCK （ IDD） ; CKE为高电平， CS \\是HIGH

有效的命令之间;地址总线的投入是稳定的过程中取消选择;数据图案是

同IDD4R ;请参阅下页详细的时序条件

mA

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Rev.1.1 2005年1月