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AAT3200
能量总 LDO线性稳压器
性，内部连接，电容的尺寸和
区，材料组成和环境温度
真实存在。通常情况下，电容器的ESR测定在MIL-
liohms的陶瓷电容器和范围，以
以上几个欧姆的钽电容或铝
电解电容器。
陶瓷电容器材料：
陶瓷电容器
小于0.1μF典型地由NPO或C0G制成
材料。 NPO和C0G材料通常是紧
宽容和过温度很稳定。较大
电容值通常由X7R的，
X5R ， Z5U ， Y5V或电介质材料。大ceram-
IC电容，比一般大于2.2μF ，往往
可以在低成本Y5V和Z5U电介质。
这两种类型的材料不建议
由于电容器的容与LDO稳压器使用
ANCE可以超过± 50 ％，比operat-变化
ING温度范围的器件。一个2.2μF Y5V
电容器可以减少到1μF ，在整个能操作
阿婷的温度范围内。这可能会导致问题
对于电路的工作稳定。 X7R和X5R
电介质是更可取的。该温度
X7R电介质的TURE公差小于± 15 ％为佳。
电容方面是另一个贡献者ESR 。
电容在物理尺寸大将对
一个较低的ESR相比，较小尺寸的
等效材料和电容的电容
值。这些较大的器件也可以提高税务局局长
时相比，同等CUIT瞬态响应
值电容更小的封装尺寸。
当仔细咨询电容器供应商的数据表
选择电容器用LDO稳压器的使用。
由负载要求。下短路或其他
过电流工作条件下，输出电压
年龄将下降和AAT3200的芯片温度
将迅速增加。一旦监管机构的权力
散热能力已经超过，
内部芯片温度达到约
140℃的系统温度保护电路将
变得活跃。内部热保护税务局局长
CUIT将积极关断LDO稳压器的输出
传递装置，以防止过温的可能性
perature伤害。 LDO稳压器的输出会
仍然处于关机状态，直到内部芯片
温度降低到低于140 ℃的触发点。
短期之间的结合和相互作用
电路及热保护系统允许的
LDO稳压器可承受无限期短路
条件而不遭受永久性损坏。
空载稳定性
该AAT3200是专为保持输出电压
在操作NO-岁调控和稳定
负载条件。这是一个重要的特性
的应用场合，输出电流可能下降
到零。输出电容器所需的稳定性
在空载运行条件。参阅
对于recom-输出电容的考虑部分
谁料典型的输出电容值。
散热注意事项和高
输出电流的应用
该AAT3200旨在提供一个连续
为150mA的SOT23或250mA输出负载电流
对于SOT-89在正常的运行条件。该
限制特性为最大输出负载
安全工作区基本上是封装的功率显示
sipation和的内部预设的温度限制
装置。为了获得较高的工作电流，
细心的设备布局和电路的运行条件
需要被考虑在内。下面discus-
sions将假设在LDO调节器被安装在一
利用最小recom-印刷电路板
修补足迹和所述印刷电路板是
0.062英寸厚的FR4材料1盎司铜。
短路保护和热
保护
该AAT3200是由两个电流限制保护，
过热保护电路。内部
短路电流限制的目的是激活
当输出负载需求超过马克西
妈妈的额定输出。如果短路条件为
不断吸引超过电流限制
阈值时，该LDO稳压器的输出电压
下降到需要提供的电流的电平
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3200.2005.04.1.1
