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介绍
2.3
终端特性和复用
表2-3描述了终端的特性和复用在每个球的ZDY包的信号。
如表2-4所示终端特性和复用在每个球的ZZG包的信号。
表列标题的说明如下:
BALL编号:
包球号码。
信号名称:
所有被复用在每个球的信号的名称。
类型:
信号方向。
MUX CTRL地点:
显示了复用模式的控制。
上拉/ PULLDN :
表示一个内部上拉或下拉的存在。上拉和下拉即可
启用或通过软件被禁用。
BUFFER强度:
带动相关的输出缓冲器的实力。
其他:
包含各种终端信息,如缓冲式,边界扫描能力,
门控/抑制功能。
复位状态:
在复位终端的状态。
供应:
电压供应,权力终端的I / O缓冲区。
注意:
必须小心,以避免分配多个球,以相同的信号。违规可能
导致意外的结果。
表2-3 。 ZDY包终端特性
ZDY
E7
A12
A2
D5
D4
C7
A8
信号名称
SDRAM.CS
SDRAM.DQSH
SDRAM.DQSL
SDRAM.CAS
SDRAM.RAS
SDRAM.DQML
SDRAM.DQMU
TYPE
O
I / O
I / O
O
O
O
O
MUX CTRL地点
NA
NA
NA
NA
NA
NA
NA
上拉/
PULLDN
卜FF器
实力
§
2毫安(LV )
3毫安( HV )
2毫安(LV )
3毫安( HV )
2毫安(LV )
3毫安( HV )
2毫安(LV )
3毫安( HV )
2毫安(LV )
3毫安( HV )
2毫安(LV )
3毫安( HV )
2毫安(LV )
3毫安( HV )
其他
A
A,K
A,K
A
A
A,K
A,K
RESET
状态
#
1
0
0
1
1
0
0
供应
DV
DD4
DV
DD4
DV
DD4
DV
DD4
DV
DD4
DV
DD4
DV
DD4
I =输入, O =输出, Z =高阻抗
PD20 = 20 μA内部下拉, PD100 = 100 μA内部下拉, PU20 = 20 μA内部上拉, PU100 = 100 μA内部上拉电阻。上拉或
下拉可以启用或禁用的软件。
§
吕=低电压( 1.65 V) , HV =高电压( 2.5 V)
A =标准的LVCMOS输入/输出
G1 =终端可以通过BFAIL被选通
B = SUBLVDS输入/输出中
G2 =终端可以通过GPIO9和MPUIO3被选通
C = USB收发器的输入/输出中
G3 =终端我用BFAIL和OMAP5912内部复位选通
2
C输入/输出缓冲器
D = 1
H1 =终端可以三态由BFAIL输入
E =模拟振荡器端子
H3 = MCSI1.DOUT引脚可以强制进入高阻
F =边界可扫描终端
国家的OMAP5912 HIGH_IMP3控制位
K =输出缓冲器包括20的串联电阻
为配合PCB线路阻抗,并确保适当的信号完整性
#
Z =高阻抗, LZ =低阻抗(引脚驱动) , 1 =输出驱动为高电平, 0 =输出驱动为低电平
注: 3, NA表示没有复用球
4. “ Regx ”表示终端复用寄存器,用于控制指定的终端,其中Regx = FUNC_MUX_CTRL_x
2003年12月 - 修订2005年3月
SPRS231D
39

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