位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第863页 > CM1200HB-66H > CM1200HB-66H PDF资料 > CM1200HB-66H PDF资料2第2页
三菱HVIGBT模块
CM1200HB-66H
第二-版HVIGBT （高压绝缘栅双极晶体管）模块
高功率开关使用
绝缘型
最大额定值
（ TJ = 25
°
C)
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E（注2 ）
I
EM （注2）
P
C（注3 ）
T
j
T
英镑
V
ISO
—
—
项
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
发射极电流
最大集电极耗散
结温
储存温度
隔离电压
安装力矩
块
条件
V
GE
= 0V
V
CE
= 0V
T
C
= 25°C
脉冲
T
C
= 25°C
脉冲
T
C
= 25 ° C， IGBT的一部分
评级
3300
±20
1200
2400
1200
2400
15600
–40 ~ +150
–40 ~ +125
6000
6.67 ~ 13.00
2.84 ~ 6.00
0.88 ~ 2.00
2.2
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
V
N·m的
N·m的
N·m的
kg
（注1 ）
（注1 ）
—
—
带电部分底板， RMS ，正弦， 60Hz的交流电1分钟。
主端子螺钉M8
安装螺钉M6
辅助端子螺丝M4
典型的价值
电气特性
（ TJ = 25
°
C)
符号
I
CES
项
条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
I
C
= 120毫安，V
CE
= 10V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
T
j
= 25°C
I
C
= 1200A ，V
GE
= 15V
T
j
= 125°C
V
CE
= 10V
V
GE
= 0V
V
CC
= 1650V ，我
C
= 1200A ，V
GE
= 15V
V
CC
= 1650V ，我
C
= 1200A
V
GE1
= V
GE2
= 15V
R
G
= 1.6
阻性负载开关操作
I
E
= 1200A ，V
GE
= 0V
I
E
= 1200A,
模具/ DT = -2400A /
s
结到管壳， IGBT的一部分
结到外壳， FWDI部分
案例鳍，导电脂应用
民
—
4.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
范围
典型值
—
6.0
—
3.80
4.00
180
18.0
5.4
8.6
—
—
—
—
2.80
—
400
—
—
0.006
最大
15
7.5
0.5
4.94
—
—
—
—
—
1.60
2.00
2.50
1.00
3.64
1.40
—
0.008
0.016
—
单位
mA
V
A
V
nF
nF
nF
C
s
s
s
s
V
s
C
K / W
K / W
K / W
收藏家Cuto FF电流
栅极 - 射极
V
GE （日）
阈值电压
I
GES
栅极漏电流
集电极 - 发射极
V
CE （ SAT ）
饱和电压
C
IES
输入电容
C
OES
输出电容
C
水库
反向传输电容
Q
G
总栅极电荷
t
D（上）
导通延迟时间
t
r
开启上升时间
t
D（关闭）
打开-O FF延迟时间
t
f
关断下降时间
V
统（注2）
发射极 - 集电极电压
t
RR （注2 ）
反向恢复时间
Q
RR （注2 ）
反向恢复电荷
R
日（J -C ） Q
热阻
R
日（J -C ）R
R
TH（ C-F ）
接触热阻
（注4 ）
（注1 ）
注： 1 。
2.
3.
4.
脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温。 （T
j
）不超过牛逼
JMAX
投资评级。
I
E
, V
EC
, t
rr
, Q
rr
&模/ dt的代表反平行的特点，发射极 - 集电极续流二极管。
结温（T
j
）不应增加超过150℃。
脉冲宽度和重复速率应是这样的，使得可以忽略的温度上升。
HVIGBT模块（高压绝缘栅双极晶体管模块）
2000年2月
