MBR20H100CT ， MBRF20H100CT & MBRB20H100CT系列
威世半导体
原通用半导体
最大额定值
参数
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
设备总
每腿
I
F（ AV ）
MBR20H90CT
90
90
90
20
10
250
1.0
MBR20H100CT
100
100
100
单位
V
V
V
A
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
每腿额定负荷（ JEDEC的方法）
每腿重复峰值反向电流在t
p
=为2μs ， 1KH
Z
变化的电压率（额定V
R
)
工作结存储温度范围
从终端rms隔离电压（仅MBRF型）
到散热片与T = 1秒，相对湿度
≤
30%
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
ISOL
A
A
V / μs的
°C
V
10,000
-65到+175
4500
(1)
3500
(2)
1500
(3)
电气特性
(T
参数
最大瞬时
每腿正向电压
(4)
:
I
F
=
I
F
=
I
F
=
I
F
=
10A,
10A,
20A,
20A,
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
T
C
=
T
C
=
T
C
=
T
C
=
25°C
125°C
25°C
125°C
价值
0.77
0.64
0.88
0.73
4.5
6.0
单位
V
F
V
每站最大反向电流
在工作峰值反向电压
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
R
A
mA
热特性
(T
参数
每腿典型热阻
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
R
θJC
MBR
2.0
MBRF
5.8
MBRB
2.0
单位
° C / W
注意事项：
（ 1 ）固定夹（案例），其中铅不重叠散热器与0.110 “偏移
（ 2 ）固定夹（案例），其中导线不重叠散热器
（ 3 ）螺钉安装有4-40螺丝，垫圈，其中直径为
≤
4.9 mm (0.19”)
（4 ）脉冲测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的占空比
订购信息
产品
MBR20H90CT - MBR20H100CT
MBRF20H90CT - MBRF20H100CT
MBRB20H90CT - MBRB20H100CT
例
TO-220AB
ITO-220AB
TO-263AB
封装代码
45
45
31
45
81
封装选项
防静电管， 50 /管， 2K /箱
防静电管， 50 /管， 2K /箱
13 “卷轴， 800 /卷， 4.8K /箱
防静电管， 50 /管， 2K /箱
防静电13 “卷轴， 800 /卷， 4.8K /箱
www.vishay.com
2
文档编号88673
03-Sep-04
