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BSM 100 GT 120 DN2
功耗
P
合计
=
(T
C
)
参数：
T
j
≤
150 °C
700
W
600
安全工作区
I
C
=
(V
CE
)
参数：
D
= 0,
T
C
= 25°C ,
T
j
≤
150 °C
10
3
tp
= 15.0s
A
P
合计
550
500
450
400
350
300
250
200
150
I
C
10
2
100 s
10
1
1毫秒
10毫秒
10
0
DC
100
50
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
10
-1
0
10
10
1
10
2
10
3
V
T
C
V
CE
集电极电流
I
C
=
(T
C
)
参数：
V
GE
≥
15 V ,
T
j
≤
150 °C
150
A
130
瞬态热阻抗
Z
日JC
=
(t
p
)
参数：
D =吨
p
/
T
10
0
IGBT
K / W
I
C
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
Z
thJC
10
-1
10
-2
D = 0.50
0.20
0.10
10
-3
单脉冲
0.05
0.02
0.01
20
40
60
80
100
120
°C
160
10
-4
-5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
s 10
0
T
C
t
p
半导体集团
4
Aug-23-1996
