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BSM50GD60DN2E3226
IGBT功率模块
电源模块
3相全桥
包括快速续流二极管
与绝缘金属基板封装
E3226 ：长终端，每个终端限流
TYPE
BSM50GD60DN2E3226
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 栅极电压
符号
值
600
600
单位
V
V
CE
600V
I
C
50A
包
ECONOPACK 2
订购代码
C67070-A2515-A67
V
CE
V
CGR
V
GE
I
C
R
GE
= 20 k
栅极 - 发射极电压
DC集电极电流
± 20
A
50
T
C
= 25 °C
集电极电流脉冲，
t
p
= 1毫秒
I
Cpuls
100
T
C
= 25 °C
每个IGBT功率耗散
P
合计
200
W
+ 150
-55 ... + 150
≤
0.6
≤
1.5
2500
16
11
F
55 / 150 / 56
美国证券交易委员会
VAC
mm
K / W
°C
T
C
= 25 °C
芯片的温度
储存温度
热电阻，片式案例
二极管的热电阻，片式案例
绝缘测试电压，
t
= 1分。
爬电距离
净空
DIN湿度类别， DIN 40 040
IEC气候类型， DIN IEC 68-1
T
j
T
英镑
R
thJC
R
thJCD
V
is
-
-
-
-
半导体集团
1
Jan-10-1997
