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SKM 500 GA 174
FIGUR7.XLS-V1
10
I
中信建投
/I
CN
8
25°C
V
C
= 1200 V
I
C
= 400 A
R
G
= 3
L
EXT
≤
50 nH的
自限
125°C
800
A
m500ga17.xls - 8
T
j
= 150 °C
V
GE
≥
15V
看到REM 。
5)
600
6
400
4
200
2
I
C
0
10 V
GE
12
14
16
18
V
20
0
0 T 20
C
40
60
80
100
120
140
160
°C
图。 7短路电流与导通栅极电压
图。 8额定电流与温度I
C
= F（T
C
)
m500ga17.xls - 10
1000
A
800
V
GE
=
17V
15V
13V
11V
9V
m500ga17.xls - 9
1000
A
800
V
GE
=
17V
15V
13V
11V
9V
400
600
600
400
200
I
C
0
0
V
CE
1
2
3
4
V
5
200
I
C
0
0
V
CE
1
2
3
4
V
5
图。 9典型。输出特性，叔
p
= 80微秒; 25℃
图。 10典型。输出特性，叔
p
= 80微秒; 125°C
m500ga17.xls - 12
P
COND （T ）
= V
CESAT （T ）
· I
C（ T）
V
CESAT （T ）
= V
CE （ TO ） （ TJ ）
+ r
CE （ TJ ）
· I
C（ T）
V
CE （ TO ） （ TJ ）
≤
1,6 + 0,001 (T
j
–25) [V]
典型值：R
CE （ TJ ）
= 0,003 + 0,000008 (T
j
–25) [
]
马克斯：R
CE （ TJ ）
= 0,0041 + 0,000006 (T
j
–25) [
]
+2
有效期为V
GE
= + 15 –1
[V] ;我
C
>我0,3
cnom
1000
A
800
600
400
200
I
C
0
0 V
G
2
4
6
8
10
12 V 14
图。 11饱和特性（ IGBT ）
计算元素和公式
由赛米控
图。 12典型。转移的特点，T
p
= 80微秒; V
CE
= 20 V
000828
B 6 – 75
