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BSM 400 GA 120 DL
典型值。栅极电荷
V
GE
=
(Q
门
)
参数：
I
PULS
= 400 A
20
V
典型值。电容
C
=
f
(V
CE
)
参数：
V
GE
= 0 V ， F = 1兆赫
10
2
nF
V
GE
16
14
12
10
8
西塞
C
600 V
800 V
10
1
科斯
CRSS
10
0
6
4
2
0
0
10
-1
0
400
800
1200
1600
2000
nC
2800
5
10
15
20
25
30
Q
门
V
40
V
CE
反向偏置安全工作区
短路安全工作区
I
Cpuls
= F（V
CE
)
,
T
j
= 150°C
参数：
V
GE
= 15 V
2.5
I
中信建投
= F（V
CE
) ,
T
j
= 150°C
参数：
V
GE
= ± 15 V,
t
SC
≤
10微秒，L < 20 nH的
12
I
Cpuls
/I
C
I
中信建投
/I
C
8
1.5
6
1.0
4
°的允许数量
短路： <1000
总之°之间的时间
2电路： >1s
的di / dt = 1000A / μs的
3000A/s
5000A/s
0.5
0.0
0
200
400
600
800
1000 1200
V
1600
V
CE
0
0
200
400
600
800
1000 1200
V
1600
V
CE
半导体集团
6
Feb-14-1997
