三菱晶闸管模块
TM90RZ/EZ-M,-H
高功率一般使用
绝缘型
最大平均功率
耗散（单相半波）
平均功耗（ W）
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
20
40
60
80
100
θ=30°
外壳温度（ ° C）
θ
360°
180°
电阻式，
感性负载
PER单个元素
平均水平的限制值
电流（单相半波）
130
120
110
100
90
80
70
60
50
0
20
40
60
80
100
θ=30°
60° 90° 120° 180°
θ
360°
电阻式，
感性负载
PER单
元素
120°
90°
60°
平均电流（ A）
平均电流（ A）
平均功耗（ W）
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
20
最大平均
功耗
（矩形波）
DC
270°
180°
120°
90°
60°
θ=30°
θ
360°
电阻式，
感性负载
PER单个元素
平均水平的限制值
电流（矩形波）
130
120
外壳温度（ ° C）
110
100
90
80
70
60
50
0
θ=30°
60 °90° 180° 270°直流
120°
θ
360°
电阻式，
感性负载
PER单
元素
40
60
80 100 120 140 160
20
40
60
80 100 120 140 160
平均电流（ A）
平均电流（ A）
平均功耗（ W）
160
外壳温度（ ° C）
θ
360°
电阻式，
感性负载
PER单模块
θ
=
18
12
0°
60
90
0°
°
°
最大平均功耗
（反向并联连接，
三相三线连接）
200
θ
均方根电流的限制值
（反向并联连接，
三相三线连接）
130
120
θ=30°
60°
90°
120°
180°
120
°
30
110
θ
θ
360°
电阻式，
感性负载
PER单模块
80
100
40
90
0
0
40
80
120
160
200
80
0
40
80
120
160
200
RMS电流（A）
RMS电流（A）
Feb.1999
