LT3710
应用S我FOR ATIO
输出电感的选择
关键参数的选择，包括电感
电感， RMS和饱和电流额定值和DCR 。
电感必须被选择以实现合理的
脉动电流，其由下式确定的值：
I
L
=
V
OUT2
(
1
D2
)
F L
通常，电感器的纹波电流被设计为
20％的最大输出电流的40％。
RMS额定电流必须足够高，以交付
最大输出电流。足够饱和电流
评价应防止电感磁芯饱和。
这两个电流额定值可由下式确定：
I
LMAX2
I
RMS
≥
I
O
+
12
I
I
SAT
≥
I
O
+
LMAX
2
2
在那里我
O
是最大输出电流和
I
LMAX
为
最大峰 - 峰值电感纹波电流。
为了优化效率，我们通常选择电感器
用最小的DCR如果电感和电流
收视率是相同的。
功率MOSFET选择
该LT3710驱动两个外部N沟道MOSFET，以
提供高电流的高效率。栅极驱动器
电压一般为6.5V 。关键参数的选择能使
荷兰国际集团的MOSFET包括漏 - 源额定电压V
DSS
和R
DS （ ON）
在6.5V栅极驱动。需要注意的是，变压器
次级电压波形过冲其上升沿
由于变压器的漏之间的振铃边缘
电感和寄生电容。在V
DSS
两
顶部和底部的MOSFET必须足够高
比最大过冲。建议在一个
RC缓冲电路或电压钳位电路被放置
在变压器的次级绕组以限制在V
S
过冲。
U
第r
DS （ ON）
MOSFET的应选择以提供
在所希望的效率，以及对所需要的电流
满足MOSFET封装的热需求。
MOSFET的导通功率损耗是：
P
M1
I
O2
R
DS(ON)M1
D2
P
M2
I
O2
R
DS(ON)M2
(1 – D2)
在那里我
O
是LT3710电路的最大输出电流，
R
DS(ON)M1
和R
DS(ON)M2
是导通电阻为顶端
和低端MOSFET ，分别为。第r
DS （ ON）
必须是
与6.5V栅极驱动和预期operat-确定
荷兰国际集团的温度。
高性能功率MOSFET相当数量的
选择可从Siliconix公司，国际市盈率
tifier和仙童。如果在V
DSS
和R
DS （ ON）
收视率是
同样的，在最低的栅极电荷Q的MOSFET
G
应
进行选择以最小化与所述相关联的功率损耗
MOSFET栅极驱动器，开关转换和
控制器的偏置电源。
输出电容的选择
输出电容器的选择是由所确定的
输出纹波和负载瞬态要求。低
输出电压的应用中，总是选择电容器
低ESR 。输出纹波电压近似
方式：
1
V
OUT
≈
I
L
ESR
+
8fC
OUT
W
U
U
哪里
I
L
是电感峰 - 峰纹波电流。
低ESR的高性能电容类型的部分列表
包括由松下和康乃尔杜比利埃SP电容，
POSCAPs和OS -CON三洋， T510电容和
T520的表面由Kemet的贴装电容。
设计实例
图3示出了LT3710的应用例。它
是一个双输出，高效率，隔离的DC / DC电力
电源与36V至72V输入， 3.3V / 10A和1.8V / 10A
输出。基本功率级的拓扑结构是一个2晶体管
3710f
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