L
OW
N
OISE
, H
室内运动场
L
INEARITY
P
包装运输
PHEMTT
PERFORMANCE （ 1850兆赫）
29 dBm的输出功率（P
1dB
)
16.5分贝小信号增益（ SSG ）
1.0分贝噪声系数
42 dBm的输出IP3
50％的功率附加效率
提供评估板
拥有无铅完成包装
FPD2250DFN
说明与应用
该FPD2250DFN是一个打包的耗尽型铝镓砷/铟镓砷伪形态高电子
迁移率晶体管（ pHEMT制） 。它采用0.25
μm
x 1500
μm
肖特基势垒门，被定义
高分辨率步进基于光刻法。凹陷和偏移栅结构最小化
寄生参数来优化性能，设计与改进的线性过的外延结构
范围的偏置条件和输入功率电平。该FPD2250DFN裸片形式和使用
其他包。
典型的应用包括在PCS驱动程序或输出级/蜂窝基站的高intercept-
点的LNA ， WLL和WLAN系统，和其他类型的无线基础设施系统。
电气特性在22℃下
参数
功率1分贝增益压缩
小信号增益
功率附加英法fi效率
噪声系数
输出三阶截取点
（从下面P 15 5分贝
1dB
)
符号
P
1dB
SSG
PAE
NF
IP3
测试条件
V
DS
= 5 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 5 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 5 V ;我
DS
= 50% I
DSS
;
P
OUT
= P
1dB
V
DS
= 5 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 5 V ;我
DS
= 25% I
DSS
V
DS
= 5V ;我
DS
= 50% I
DSS
匹配的最佳动力
匹配最佳IP3
饱和漏源电流
最大漏源电流
跨
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
栅源击穿电压
栅极 - 漏极击穿电压
I
DSS
I
最大
G
M
I
GSO
|V
P
|
|V
BDGS
|
|V
BDGD
|
V
DS
= 1.3 V; V
GS
= 0 V
V
DS
= 1.3 V; V
GS
+1 V
V
DS
= 1.3 V; V
GS
= 0 V
V
GS
= -5 V
V
DS
= 1.3 V ;我
DS
= 2.25毫安
I
GS
= 2.25毫安
I
GD
= 2.25毫安
0.7
12
12
560
42
43
700
1.1
600
1
1.0
16
16
10
1.3
825
mA
A
mS
μA
V
V
V
DBM
民
28
15
典型值
29
16.5
50
1.0
0.8
1.75
最大
单位
DBM
dB
%
dB
射频指标测量
f
= 1850 MHz的使用CW信号
电话：
+1 408 850-5790
传真：
+1 408 850-5766
http://www.filtronic.co.uk/semis.com
修订日期： 05年11月14日
电子邮件：
sales@filcsi.com
