A28F400BX - T B
在擦除挂起模式下，芯片可以进入一个
伪待机采取行政长官V模式
IH
和
有功电流现在是一个最大为10mA 。如果
芯片通过取CE为启用，而在此模式下
V
IL
擦除恢复命令可以发出
恢复的擦除操作
于完成后读取比其他任何块
被擦除的块擦除恢复的COM
命令必须发出当擦除恢复
指令下达后， WSM将继续
擦除序列，并完成擦除块
与擦除结束时，状态寄存器必须是
读清零，或 - 发出下一个指令
DER继续
3 3 6扩展骑行
英特尔已经设计了扩展循环能力成
其ETOX III闪存技术4兆位
引导块闪存系列是专为1 000亲
在每个7块克擦除周期的
低电场干净的亲氧结合
处理和每个存储单元最小化氧化区
进行隧道电场的结果在
非常高的循环能力
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