A28F400BX - T B
表1公交车运营的字宽模式（ BYTE
模式
读
输出禁用
待机
深度掉电
智能标识符（制造商）
智能标识（设备）
写
9
4
4 5
6 7 8
笔记
1 2 3
RP
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
V
IH
CE
V
IL
V
IL
V
IH
X
V
IL
V
IL
V
IL
OE
V
IL
V
IH
X
X
V
IL
V
IL
V
IH
WE
V
IH
V
IH
X
X
V
IH
V
IH
V
IL
e
V
IH
)
A
9
X
X
X
X
V
ID
V
ID
X
A
0
X
X
X
X
V
IL
V
IH
X
V
PP
X
X
X
X
X
X
X
DQ
0–15
D
OUT
高Z
高Z
高Z
0089H
4470H
4471H
D
IN
表2总线操作的字节宽的模式（ BYTE
e
V
IL
)
模式
读
输出禁用
待机
深度掉电
智能
标识符（制造商）
智能
标识符（设备）
写
9
4
4 5
6 7 8
笔记
1 2 3
RP
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
V
IH
CE
V
IL
V
IL
V
IH
X
V
IL
V
IL
V
IL
OE
V
IL
V
IH
X
X
V
IL
V
IL
V
IH
WE
V
IH
V
IH
X
X
V
IH
V
IH
V
IL
A
9
X
X
X
X
V
ID
V
ID
X
A
0
X
X
X
X
V
IL
V
IH
X
A
b
1
X
X
X
X
X
X
X
V
PP
X
X
X
X
X
X
X
DQ
0–7
D
OUT
高Z
高Z
高Z
89H
70H
71H
D
IN
DQ
8–14
高Z
高Z
高Z
高Z
高Z
高Z
高Z
笔记
1 ，请参考直流特性
2 ，X可以为V
IL
V
IH
为控制引脚和地址V
PPL
或V
PPH
对于V
PP
3见DC特性V
PPL
V
PPH
V
HH
V
ID
电压
4制造商和设备代码，也可以通过崔写序列的访问
1
–A
17
e
X
5设备ID
e
4470H的A28F400BX - T和4471H的A28F400BX -B
6请参阅表3为有效D
IN
在写入操作期间
7命令写入的块擦除或Word字节写只执行时V
PP
e
V
PPH
8要写入或擦除引导块RP保持在V
HH
9 RP必须在GND
g
0 2V ，以满足80
mA
深最大掉电电流
3 2读操作
4兆位引导块闪存系列有三种用户
阅读模式阵列智能标识和状态
寄存器状态寄存器读取模式将显示
倔强详细的''写操作''一节
在上电期间的条件（V
CC
供应减速）它
最多需要300纳秒从当V
CC
为
4 5V最小到输出有效数据
3 2 1读阵列
如果存储器中没有读阵列模式是
需要编写相应的阅读模式的COM
命令到CUI 4兆位引导块闪存系列
有三个控制功能所有这些必须的Logical
美云活跃，以获得在输出芯片恩数据
能够CE的设备选择控制复位
掉电RP是设备电源控制输出
是数据输入输出
把-启用OE
（DQ 0 15或DQ 0 7）的方向控制和时
活性被用于从所选memo-驱动数据
RY到I O总线
11
