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趋势提前
2003
3.3 V
2004
2005
电压
转变
2.5 V
1.8 V
对趋势
绿色包装
TSOP
对趋势
KGD
BGA
FGBA
已知合格芯片
SDR
对趋势
DDR
DDR
来源： IFX
MANUFACTURERSARECHALL ENGED降低芯和I / O的电压，以便进一步降低功率
消费。与2.5 V技术以前在使用相比，英飞凌的新一代1.8 V技术满足
这些要求由功耗降低约40％。
THEMARKETISALSOCALLIN G代表的有害物质减少，消除铅在芯片
并且更容易回收。英飞凌是第一制造商之一，提供移动- RAM芯片中的绿色包装。
针对成本优化的多芯片解决方案（结合闪光灯和INANTICIPATIONOFRISIN摹需求
移动-RAM ） ，英飞凌也将很快推出一个预先测试的已知合格芯片（ KGD ） /晶圆解决方案。
ANDTOREDUCEPOWER量更少，英飞凌计划从切换的移动-RAM器件
SDR到DDR速度。由于在不远的将来启动。欲了解更多信息，请联系您当地的销售代表。
全行业标准
INFINEONWORKEDCLOSELY与行业合作伙伴，以规范的低功耗特性和
54球FBGA封装于Mobile- RAM通过JEDEC （电子设备工程联合委员会） ，半导体
的EIA （电子工业联盟）技术的标准化组织。在控制器和ASIC供应商信息
支持新的移动-RAM功能集标准可根据要求提供。
FORTHELATESTINFORMATI ON和移动-RAM数据的更新，请访问我们的网站：
www.infineon.com/memory/Mobile-RAM
