位置：首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第346页 > HYB25L128160AC-7.5 > HYB25L128160AC-7.5 PDF资料 > HYB25L128160AC-7.5 PDF资料1第3页
令人印象深刻的功耗节省
英飞凌SMOBILE - RAM器件实现这些大大节省了测量功耗
温度具有集成传感器和自动调整刷新间隔相应。
FORUSERS ，这意味着，他们的设备既可以在单个电池的充电运行的两倍长，或可以
提供的将是以前无法想象的全新功能。将近一半的掌上电脑所产生的事实
今天包括移动- RAM的英飞凌证实该公司在这一领域的先锋作用。
移动-RAM以实现最低功耗也在操作模式
标准SDRAM
“低功耗排序”
281毫瓦
100 %
215毫瓦
77 %
100 %
163毫瓦
58 %
76 %
100 %
108毫瓦
38 %
50 %
66 %
耗电量
3.3 V - 256兆
85毫安*
*工作电流（ LCC1 ）
3.3 V - 256兆
65毫安*
2.5 V - 256兆
65毫安*
1.8 V - 256兆
60毫安*
在待机模式下的移动RAM的内存无限供应
标准
SDRAM
“低功耗排序”
2.8毫瓦
100 %
1.6毫瓦
57 %
100 %
1.19毫瓦
43 %
74 %
100 %
0.68
24
43
57
mW
%
%
%
耗电量
3.3 V - 256兆
850 μA （ 70 ° C） *
*待机电流（ lcc6 ）
3.3 V - 256兆
475 μA （ 70 ° C） *
2.5 V - 256兆
475 μA （ 70 ° C） *
1.8 V - 256兆
375 μA （ 70 ° C） *
