摩托罗拉
半导体技术资料
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通过MAC210FP / D
双向可控硅
MAC210FP
系列
MAC210AFP
系列
隔离双向可控硅
晶闸管
10安培RMS
200通800伏
硅双向晶闸管
。 。 。主要为全波交流控制应用中，如调光器的设计，
马达控制，加热控制和电源;或是其他地方，全波硅
需要栅极控制的固态器件。三端双向可控硅晶闸管型从切换
堵为导通状态用于施加阳极电压与正的任一极性
或负门极触发。
阻断电压为800伏特
所有的扩散和玻璃钝化结大中华区参数均匀性
和稳定性
体积小，坚固耐用， Thermowatt建设实现低热阻，高耐热
散热和耐用性
门极触发保证在三种模式下（ MAC210FP系列）
或四种模式（ MAC210AFP系列）
MT2
G
MT1
CASE 221C -02
方式3
最大额定值
（ TJ = 25 ° C除非另有说明。 ）
等级
重复峰值断态电压（ 1 ） （ TJ = -40至+ 125°C ）
1/2正弦波50到60赫兹，门打开
MAC210-4FP ， MAC210A4FP
MAC210-6FP ， MAC210A6FP
MAC210-8FP ， MAC210A8FP
MAC210-10FP ， MAC210A10FP
开启状态RMS电流（ TC = + 70°C ），完整周期正弦波50到60赫兹（ 2 ）
非重复性峰值浪涌电流（一个完整周期， 60赫兹， TC = + 70 ° C）
前面和后面的额定电流
电路熔断（T = 8.3毫秒）
峰值功率门控（ TC = + 70 ° C，脉冲宽度= 10
s)
平均栅极电源（ TC = + 70 ° C，T = 8.3毫秒）
栅极峰值电流（ TC = + 70 ° C，脉冲宽度= 10
s)
RMS的隔离电压（ TA = 25 ℃，相对湿度
工作结温
存储温度范围
符号
VDRM
200
400
600
800
IT （ RMS ）
ITSM
I2t
PGM
PG （AV）
10
100
40
20
0.35
2
1500
-40到+125
-40到+125
安培
安培
A2s
瓦
瓦
安培
伏
°C
°C
价值
单位
伏
p
20%)
IGM
V（ ISO）
TJ
TSTG
热特性
特征
热阻，结到外壳
热电阻，案件水槽
热阻，结到环境
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
最大
2.2
2.2 （典型值）
60
单位
° C / W
° C / W
° C / W
1. VDRM所有类型可以在一个连续的基础上被应用。阻断电压不得与恒定电流源，使得测试
该器件的额定电压都超标。
2.所有的TC测量的情况下，温度的基准点是在封装尽可能接近到塑料体的中心引线的点。
摩托罗拉晶闸管设备数据
摩托罗拉公司1995年
1
