AD53509
参数
延迟变化与脉宽
最小脉宽
3 V秋千
5 V秋千
切换率
动态性能，抑制
延迟时间，有效抑制
延迟时间，禁止以激活
延迟时间匹配（ Z）
民
典型值
50
1.4
2.0
250
3.3
2.9
<2
最大
单位
ps
ns
ns
兆赫
ns
ns
ns
测试条件
V
L
= 0 V, V
H
= 2 V ，脉宽= 2.5纳秒/ 7.5纳秒， 30纳秒/ 90纳秒
V
L
= 0 V, V
H
= 3 V ， 90 ％ （ 2.7 V ）达成，测量@ 50 ％
V
L
= 0 V, V
H
= 5 V ， 90 ％ （ 4.5 V ）达成，测量@ 50 ％
V
L
= 0 V, V
H
= 5 V ， VDUT > 3.0 V P-P
测得的50％ ，V
H
= +2 V, V
L
= –2 V, V
T
= 0 V
测得的50％ ，V
H
= +2 V, V
L
= –2 V, V
T
= 0 V
Z =延迟时间主动抑制试验（上） -
延迟时间禁止以主动测试（上图）
（最差的两个边）
V
H
= 0 V, V
L
= 0 V, V
T
= 0 V
V
H
= +2 V, V
L
= -2 V （测量的20％ / 80％的1 V输出）
V
H
= +2 V, V
L
= -2 V （测量的20％ / 80％的1 V输出）
测得的50％ ，V
L
= –1 V, V
H
= +1 V, V
TERM
= 0 V
测得的50％ ，V
L
= V
H
= +0.4 V, V
TERM
= –0.4 V
V
H
/V
L
, V
TERM
= (0 V, –1 V), (0 V, –2.0 V),
(0 V, 6.0 V)
V
L
= –2 V, V
H
= +2 V, V
TERM
= 0 V, 20%–80%
V
L
= –2 V, V
H
= +2 V, V
TERM
= 0 V, 20%–80%
V
S
= V
S
±
3%
I / O斯派克
上升，下降时间，有效抑制
上升，下降时间，禁止以激活
动力性能， V
TERM
延迟时间，V
H
到V
TERM
, V
L
到V
TERM
延迟时间，V
TERM
到V
H
和V
TERM
到V
L
过冲和欠冲
V
TERM
模式上升时间
V
TERM
模式下降时间
PSRR ，驱动器或TERM模式
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
150
1.6
1.4
2.5
2.5
<3.0 + 75
2.2
2.2
35
毫伏， P-P
ns
ns
ns
ns
步骤％ + MV的
ns
ns
dB
比较器规范
（所有规格均在T
J
= 85℃ 5 ℃。[输出端接在150至GND ， + V
S
= 11 V
另有规定。 ]所有的温度系数在T测量
J
= 75 ℃至95 ℃。 ）
参数
直流输入特性
偏移电压（V
OS
)
失调电压（漂移）
HCOMP ， LCOMP偏置电流
电压范围（Ⅴ
CM
)
差分电压（V
差异
)
增益和线性度
锁存使能输入
逻辑“1”电流（I
IH
)
逻辑“0”电流（I
IL
)
逻辑输入范围
数字输出
逻辑“1”的电压（V
OH
)
逻辑“0”电压（V
OL
)
压摆率
VCCO范围
开关性能
传播延迟
输入到输出
锁存使能到输出
传播延迟温度系数
传播延迟改变相对于
压摆率： 0.5 V ， 1.0 V， 3.0 V / ns的
压摆率： 5.0 V / ns的
幅度： 1.0 V， 3.0 V， 5.0 V
等效输入上升时间
线性脉冲宽度
建立时间
锁存时序
输入脉宽
建立时间
保持时间
迟滞
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
3% –V
S
= 6 V
3 ％ ， VCCO = 3.3V ，除非
民
–25
典型值
最大
+25
单位
mV
μV/°C
A
V
V
％ FSR
A
A
V
V
V
V / ns的
V
测试条件
CMV = 0 V
CMV = 0 V
V
IN
= 0 V
50
–50
–2
–0.05
+50
+7.0
9.0
+0.05
250
–250
–2
VCCO - 0.98
VCCO - 1.5
1
0
8
+3
V
IN
= -2 V至+7 V（ 9 V FSR ）
LEA ，
LEA ，
LEB ，
LEB
= +3 V
LEA ，
LEA ，
LEB ，
LEB
= –2 V
Q或
Q,
16.7毫安负载
Q或
Q,
10毫安LOAD
1.8
2
2
< ± 100
< ± 350
< ± 200
450
< ± 200
25
1.68
1.0
1.1
6
ns
ns
PS /°C的
ps
ps
ps
ps
ps
ns
ns
ns
ns
mV
V
IN
= 2 V P-P ，
HCOMP = 1 V ， LCOMP = 1 V
V
IN
= 0 V至5 V
V
IN
= 0 V至5 V
V
IN
= 1.0 V / ns的
V
IN
= 0 V 3 V， 3 V / ns的
V
IN
= 0 V 3 V， 3 V / ns的， PW = 3 NS- 8纳秒
要解决
±
8毫伏，V
IN
= 1 V至0 V
锁存输入编程为迟滞
REV 。一
–3–
