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SRAM
奥斯汀半导体公司
+5V
AC测试条件
输入脉冲电平................................... VSS至3.0V
输入上升和下降时间为5ns .......................................
输入时序参考电平1.5V .............................
输出参考电平1.5V .....................................
输出负载..............................参见图1和图2
MT5C1009
+5V
480
480
Q
255
5 pF的
Q
255
30
图。 1输出负载
当量
图。 2输出负载
当量
笔记
1.
2.
3.
参考V所有电压
SS
（GND）。
-2V脉冲宽度为20ns <
I
CC
依赖于输出负载和循环率。
指定的值适用于与输出
卸，并且f =
1
赫兹。
t
RC （ MIN ）
此参数是保证，但未经测试。
试验条件与输出负载指定
如示于图1 ，除非另有说明。
t
LZCE ，
t
LZWE ，
t
LZOE ，
t
HZCE ，
t
HZOE和
t
HZWE
用CL = 5pF的被指定为与图。 2.过渡
测量± 200mV的自稳态电压典型，
允许实际测试器的RC时间常数。
7.
4.
5.
6.
在任何给定的温度和电压条件下，
t
HZCE小于
t
LZCE和
t
HZWE小于
t
LZWE和
t
HZOE小于
t
LZOE 。
8.我们\\是高读周期。
9.设备不断选择。芯片使能和
输出使他们的活动状态被保持。
10.地址有效之前或重合，最新
发生芯片使能。
11.
t
RC =读周期时间。
数据保留电气特性（仅L型）
描述
V
CC
为保留数据
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
*低功耗， -20设备只
条件
CE \\ > （V
CC
- 0.2V)
V
IN
> （V
CC
- 0.2V)
或< 0.2V
V
CC
= 2V
符号
V
DR
I
CCDR1
*
I
CCDR2
t
CDR
t
R
民
2
最大
---
0.75
1.0
单位备注
V
mA
mA
ns
ns
4
4, 11
0
t
RC
---
VCC低于数据保存波形
V
CC
t
CDR
数据保持方式
4.5V
V
DR
＆ GT ; 2V
4.5V
t
R
V
DR
CE1\
MT5C1009
修订版5.5 8月1日
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
5
4321
4321
4321
4321
V
IH
V
IL
321
21
321
321
3
321
87
4326
321654321
87
421154321
332154321
326
87
421154321
321154321
87
4876
3326
987654321
4321
321
321
987654321
321
987654321
4321
4321
987654321
987654321
321
不在乎
未定义
