ZNBG3115
ZNBG3116
应用电路
下图显示的部分应用电路的示意图为ZNBG系列显示所有外部组件
需要适当的偏置。偏置电路在整个温度范围内具有无条件稳定
在电路中的相关联的FET和栅极与漏极电容。
为了最大限度地减少电路板空间的ZNBG3115 / 3116在QSOP16封装提供。为了减少引脚数漏1
和漏极2已在内部连接。这是可能的，因为只有一两个偏置级可在偏压
1 time.The QSOP16提供的尺寸减小了40 ％，比QSOP20版本。
电容器C2和C4确保残余电源和衬底噪声发生器不允许影响
其他外部电路可以是对RF干扰敏感。它们还有助于抑制任何潜在的RF
通过ZNBG设备阶段之间的馈通。这些电容器都需要使用的所有阶段。值
10nF电容和4.7nF分别为
推荐但这是设计
依赖性和1nF的之间的任意值
和100nF的也可以使用。
电容器C
NB
和C
子
是一个
在ZNBGs负的组成部分
供应发电机。在负偏压
电压通过在片上产生
内部振荡器。所需的值
对用电容器C
NB
和C
子
为47nF的。
这种发生器产生的低电流
供应约-3伏。
虽然这种发电机的目的
纯粹的偏置外部FET ，它可以
用于电力等外部
通过C电路
子
引脚。
电阻R
CAL
设置的漏极电流在
所有外部FET进行操作。如果
不需要任何偏置控制电路，
其相关的漏极和栅极连接
可能会留下开路无
AF F EC锡克叔 ê PE老鼠在我的
剩下的偏置电路。
牛逼 ê ZN B摹D E六 ES等皆是
旨在保护外部FET
从不利的操作条件。
随着连接到任何偏见JFET
电路的栅极输出电压
偏置电路不能超过该范围
-3.0V至任何条件下1V ，
包括上电和断电
瞬变。所有的偏差阶段包括
漏极电流限制其工作
独立地在每个阶段。应
负偏压发生器被短路
或过载，使得漏极电流
外部FET的不能再
控制，漏极供给到场效应晶体管是
关闭，以避免损坏
场效应管过度漏电流。
QSOP16应用电路
QSOP20应用电路
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第1期 - 2001年6月
