静电敏感器件
观察处理注意事项
三菱RF功率模块
RA08H1317M
注意事项，建议和应用程序信息：
结构：
此模块包括焊接到铜凸缘的氧化铝基板的。对于机械保护，一个塑料盖
附着有硅树脂。在MOSFET晶体管芯片管芯键合到金属，金属丝键合到基板上，并
涂覆有树脂。在基片上线（最终电感器） ，芯片电容器和电阻构成的偏置和
匹配电路。引线焊接在氧化铝基板提供DC和RF连接。
以下情况必须避免：
一）弯曲在氧化铝基板上的力（例如，通过驱动螺钉或从快速热变化）
b）在该引线（例如，通过第一焊接，然后找到螺丝或因热膨胀的机械应力）
三）去焊剂溶剂与MOSFET的芯片的树脂涂料（例如反应，三氯乙烯）
四）频繁的开/关切换引起的树脂的热膨胀
E） ESD，浪涌，过压与负载VSWR结合，振荡
ESD ：
这种MOSFET模块是敏感的静电放电电压下降到1000V 。适当的ESD防范措施是必需的。
安装：
散热片的平整度必须小于50微米（一散热片是不平坦的或模块，并且可以热沉之间的颗粒
使陶瓷基板的模块中通过弯曲力产生裂纹，或者立即当驱动螺钉或更高
当热膨胀力加） 。
被推荐用于低接触热阻和降低模块和散热器之间的热化合物
的弯曲应力所引起的温度差，以将散热器在陶瓷基板上。
模块必须首先被拧到散热器，然后将引线可以被焊接到印刷电路板上。
M3螺钉被推荐为0.4 0.6 Nm的拧紧力矩。
焊接和助焊剂清洗：
该模块是专为手工焊接。
后的模块被拧在散热片上的导线必须焊接。
焊接温度必须为一个最大为10秒，或低于350℃，最高为260 ℃的低
的三秒钟。
乙醇是建议去除助焊剂。三氯乙烯的溶剂不能使用（它们可能会导致气泡在
晶体管芯片的涂层处理，可取下连接线） 。
散热器的散热设计：
在P
OUT
= 8W ，V
DD
= 12.5V和P
in
= 20毫瓦每级晶体管的工作条件是：
舞台
1
st
2
nd
P
in
(W)
0.02
1.5
P
OUT
(W)
1.5
8.0
R
第（章例）
（ ° C / W）
4.0
2.4
I
DD
@
η
T
=40%
(A)
0.3
1.32
V
DD
(V)
12.5
每一级晶体管T的沟道温度
ch
= T
例
+ (V
DD
X我
DD
- P
OUT
+ P
in
）个R
第（章例）
主要有：
T
ch1
= T
例
+ （ 12.5V 0.3A X - 1.5W + 0.02W ）× 4.0 ° C / W
= T
例
+ 9.1 °C
T
ch2
= T
例
+ （ 12.5V X 1.32A - 8.0W + 1.5W ）× 2.4 ° C / W
= T
例
+ 24.0 °C
对于长期的可靠性，最好是保持在模块壳体温度（T
例
）低于90℃ 。对于环境
温度T
空气
= 60℃和P
OUT
= 8W ，所需的热阻R
日（区分空气）
= ( T
例
- T
空气
) / ( (P
OUT
/
η
T
) - P
OUT
+
P
in
）所述的散热片，其中包括接触电阻，是：
R
日（区分空气）
= （ 90 °C - 60 ° C） / （ 8W / 40 ％ - 8W + 0.02W ） = 2.50 ° C / W
当以2.50 ℃/ W，每一级的晶体管的沟道温度的热敏电阻安装在模块
是：
T
ch1
= T
空气
+ 39.1 °C
T
ch2
= T
空气
+ 54.0 °C
在175 °C的最高等级为通道温度降额，确保条件下的应用。
RA08H1317M
三菱电机
7/9
2002年12月23日
