CEF02N6
2002年9月
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
特点
600V ， 1.5A ，R
DS （ ON）
=5
@V
GS
=10V.
超级高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
高功率和电流处理能力。
TO- 220F全白的通孔
D
6
G
G
D
S
S
TO-220F
绝对最大额定值（TC = 25℃除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
-Pulsed
漏源二极管的正向电流
最大功率耗散
@ T = 25℃
减免上述25℃
工作和存储Temperautre范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
极限
600
30
1.5
4.5
4.5
29
0.23
-65到150
单位
V
V
A
A
A
W
W / C
C
热特性
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
R
JC
R
JA
6-117
4.3
65
C / W
C / W
