CEM9939A
2001年11月
双增强模式场效应晶体管（ N和P沟道）
特点
30V ，7A ，R
DS （ ON）
=30m
@V
GS
=10V.
R
DS （ ON）
=42m
@V
GS
=4.5V.
-30V ， -3.5A ，R
DS （ ON）
=100m
@V
GS
=-10V.
R
DS （ ON）
=160m
@V
GS
=-4.5V.
超级高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
高功率和电流移交能力。
表面贴装封装。
SO-8
1
1
2
3
S
2
4
5
D
1
8
D
1
7
D
2
6
D
2
5
S
1
G
1
G
2
绝对最大额定值（T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
a
@T
J
=125 C
b
-Pulsed
漏源二极管的正向电流
a
最大功率耗散
a
工作结存储
温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
N沟道P沟道
30
20
7
30
2.3
2.0
-55到150
-30
20
3.5
14
-1.7
单位
V
V
A
A
A
W
C
热特性
热阻，结到环境
a
R
JA
62.5
C / W
5-157
