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K9F5608Q0C
K9F5608D0C
K9F5608U0C
K9F5616Q0C
K9F5616D0C
K9F5616U0C
FL灰内存
K9F5608X0C的指针操作（ X8 ）
三星NAND闪存具有三个地址指针的命令，以替代两个最显著列地址。 “
00h’
命令将指针设置为“区（ 0 255byte ） ， ”
A’
01h'command将指针设置到“区域（256 511byte ） ，和'
B’
50h'command套
指针“区域（ 512 527byte ） 。通过这些命令，起始列地址可设置为任何一个整体的
C’
页（ 0 527byte ） 。 “
00h'or “
50h'is持续，直到另一个地址指针命令输入。 “
01h'command ，但是，是有效
只为一个操作。中读取任何操作后，编程，擦除，复位， POWER_UP与执行一次“
01H “命令时，
地址指针返回到“区域本身。编程数据“或”区域的开始， “
A’
A’
C’
00H “或”
50H '命令必须输入
过吗？
80H '命令被写入。一个完整的读操作之前“
为80h '命令是不必要的。编程从数据出发
“区域”
B’
01h'command必须正确之前， “来输入
80h'command被写入。
表2.目的地的指针的
命令
00h
01h
50h
指针的位置
0 255字节
256 511字节
512 527字节
区域
上半场阵列（ A）
下半场阵列（B ）
备用阵列（ C）
"A"区
（ 00H平面）
256字节
"B"区
（ 01H平面）
256字节
"C"区
（ 50H平面）
16字节
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ QUOT ; C＆ QUOT ;
国内
页寄存器
指针选择
commnad
(00h, 01h, 50h)
指针
指针操作图4.框图
（ 1）编程命令输入序列“区域
A’
地址指针设置为'区域（0 255） ，并且持续
A’
地址/数据输入
00h
80h
10h
00h
80h
地址/数据输入
10h
'， '，'区域可被编程。
A' B' C'
它取决于有多少数据被输入。
’
00h'command可以省略。
（ 2）编程命令输入序列“区域
B’
地址指针设置为'区域（256 512） ，和将被重置为
B’
“每一个程序运行后，区域执行。
A’
地址/数据输入
01h
80h
10h
01h
80h
地址/数据输入
10h
'，'区域可被编程。
B' C'
它取决于有多少数据被输入。
’
01h'command之前必须重写
每个程序运行
（ 3）编程命令输入序列“区域
C’
地址指针设置为'区域（512 527 ） ，和持续
C’
地址/数据输入
50h
80h
10h
50h
80h
地址/数据输入
10h
只有'区可以被编程。
C’
’
50h'command可以省略。
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