位置：首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第74页 > K9F5608D0C-P > K9F5608D0C-P PDF资料 > K9F5608D0C-P PDF资料1第13页
K9F5608Q0C
K9F5608D0C
K9F5608U0C
有效的块
参数
有效的块数
K9F5616Q0C
K9F5616D0C
K9F5616U0C
FL灰内存
符号
N
VB
民
2013
典型值。
-
最大
2048
单位
块
记
:
1。
设备
可能包括无效块时，先发货。附加的无效块可以发展而被使用。有效块的数目是预先
sented与视为无效块的两种情况。无效块被定义为包含一个或多个损坏位元区块
.
不要擦除或编程
工厂标记为坏块。参考附件技术说明中的无效块的适当的管理。
2.第一框，它被放置在00h开始块地址，保证是一个有效的块，不需要纠错多达1K编程/擦除
周期。
3.
最低1004块有效，保证每个连续的128MB显存空间。
AC测试条件
（ K9F56XXX0C - XCB0 ： TA = 0 70 ° C， K9F56XXX0C - XIB0 ： TA = -40 85°C
K9F56XXQ0C ： VCC = 1.70V 1.95V ， K9F56XXD0C ： VCC = 2.4V 2.9V ， K9F56XXU0C ： VCC = 2.7V 3.6V ，除非另有说明）
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
K9F56XXQ0C
0V至Vcc
Q
5ns
VCC
Q
/2
K9F56XXD0C
0V至Vcc
Q
5ns
VCC
Q
/2
K9F56XXU0C
0.4V至2.4V
5ns
1.5V
K9F56XXQ0C ：输出负载（VCC
Q
:1.8V +/-10%)
K9F56XXD0C ：输出负载（VCC
Q
： 2.65V +/- 10 ％ ）， 1 TTL门和CL = 30pF的1 TTL门和CL = 30pF的1 TTL门和CL = 50pF的
K9F56XXU0C ：输出负载（VCC
Q
:3.0V +/-10%)
K9F56XXU0C ：输出负载（VCC
Q
:3.3V +/-10%)
-
-
1 TTL门和CL = 100pF电容
电容
(
T
A
= 25 ° C，V
CC
= 1.8V / 2.65V / 3.3V ， F = 1.0MHz的）
项
输入/输出电容
输入电容
符号
C
I / O
C
IN
测试条件
V
IL
=0V
V
IN
=0V
民
-
-
最大
10
10
单位
pF
pF
记
：电容周期性采样，而不是100 ％测试。
模式选择
CLE
H
L
H
L
L
L
L
X
X
X
X
X
ALE
L
H
L
H
L
L
L
X
X
X
X
(1)
X
CE
L
L
L
L
L
L
L
X
X
X
X
H
H
H
X
X
X
X
X
H
H
X
X
X
X
WE
RE
H
H
H
H
H
LOCKPRE
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
0V/V
CC
(2)
WP
X
X
H
H
H
X
X
X
H
H
L
数据输入
数据输出
在读（忙）
在K9F5608U0C_Y ， P，V ， F或K9F5608D0C_Y ，P
在读（忙）上，除了设备
On
K9F5608U0C_Y ， P，V ， F或K9F5608D0C_Y ，P
模式
读取模式
命令输入
地址输入（ 3clock ）
写模式
命令输入
地址输入（ 3clock ）
在项目（忙）
在擦除（忙）
写保护
0V/V
CC
(2)
待用
记
1. X可以是V
IL
或V
IH 。
2. WP应该偏向于CMOS的高或低的CMOS备用。
13
