CED603AL/CEU603AL
1998年3月
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
特点
30V ， 20A ，R
DS （ ON）
=22m
@V
GS
=10V.
R
DS （ ON）
=40m
@V
GS
=4.5V.
超级高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
高功率和电流处理能力。
TO- 251 & TO- 252封装。
D
G
S
G
D
S
D
6
G
CEU系列
TO-252AA(D-PAK)
CED系列
TO-251(l-PAK)
S
绝对最大额定值（TC = 25℃除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续@T
J
=125 C
-Pulsed
漏源二极管的正向电流
最大功率耗散
@ T = 25℃
减免上述25℃
工作和存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
极限
30
20
20
77
20
50
0.3
-55至175
单位
V
V
A
A
A
W
W / C
C
热特性
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
R
JC
R
JA
6-37
3
50
C / W
C / W
