三菱RF MOSFET模块
静电敏感器件
观察处理注意事项
RA07H4047M
框图
2
3
400-470MHZ 7W 12.5V ， 2级放大器。对于便携式/移动电
描述
该RA07H4047M是一个7瓦的射频MOSFET放大器模块
对于工作在400-到12.5伏便携/移动无线电
470 - MHz范围内。
电池可以直接连接到的漏电
增强型MOSFET晶体管。如果没有门
电压（V
GG
= 0V）时，只有很小的漏电流流入漏极
与RF输入信号衰减高达60分贝。输出功率
和漏电流增加的栅极电压增加。有
周围2.5V （最低），输出功率和漏栅电压
目前的大幅增加。额定输出功率
在3V （典型值）和3.5V （最大）变为可用。在
V
GG
= 3.5V ，典型栅极电流为1毫安。
这个模块是专为非线性调频调制，但可能
还通过将漏极静态用于线性调制
电流与栅极电压和控制输出功率与
输入功率。
特点
增强型MOSFET晶体管
(I
DD
0
@ V
DD
=12.5V, V
GG
=0V)
P
OUT
>7W @ V
DD
=12.5V, V
GG
= 3.5V ，P
in
=20mW
η
T
>40 ％@ P
OUT
= 7W （V
GG
控制） ，V
DD
= 12.5V ，P
in
=20mW
宽带频率范围： 400-470MHZ
低功耗控制电流I
GG
= 1mA（典型值），在V
GG
=3.5V
模块尺寸： 30 ×10× 5.4毫米
线性操作有可能通过设置静态漏电流
与栅极电压和控制输出功率与
输入功率
1
4
5
1
2
3
4
5
RF输入（P
in
)
栅极电压（V
GG
） ，功率控制
漏极电压（V
DD
） ，电池
RF输出（P
OUT
)
射频接地（CASE ）
封装代码： H46S
订货信息：
订单号
RA07H4047M-E01
RA07H4047M-01
（日本 - 包装无干燥器）
供货形式
防静电托盘，
25模块/托盘
RA07H4047M
三菱电机
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2003年4月25日
